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IRF1018EPBF

更新时间:2025-07-04 09:34:47

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International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

封装:TO-220-3

IRF1018EPBF 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
79A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.4 毫欧 @ 47A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
69nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2290pF @ 50V
功率 - 最大
110W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件

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