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IXBN42N170A

更新时间:2025-05-31 13:36:13
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IXBN42N170A外观图

IXBN42N170A

IXYS IGBT

IC TRANS BIPO 1700V SOT-227

  • 封装:SOT-227-4，miniBLOC
IXBN42N170A 规格参数
  • 标准包装
    10
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    IGBT
  • 系列
    BIMOSFET™
  • IGBT 类型
    -
  • 配置
    单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    6V @ 15V，21A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    42A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    50µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
    3.5nF @ 25V
  • 功率 - 最大
    312W
  • 输入
    标准型
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
    SOT-227B
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