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IXSQ20N60B2D1

更新时间:2025-06-10 06:34:34
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IXSQ20N60B2D1外观图

IXSQ20N60B2D1

IXYS IGBT - 单路

IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO-3P

  • 封装:TO-3P-3，SC-65-3
IXSQ20N60B2D1 规格参数
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    IGBT - 单路
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.5V @ 15V，16A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    35A
  • 功率 - 最大
    190W
  • 输入类型
    标准型
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商设备封装
    TO-3P
  • 包装
    散装
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