展示实力的机会,更是体现服务的开始!
其它信息:
高密度的NAND Flash存储器:高达8G位存储器阵列,成本效益的解决方案用于大规模存储应用;NAND接口:8倍总线宽度,多路复用地址/数据;电源电压:1.8V/3.0V设备;页大小:8倍设备:(2048+64备用)字节,16倍设备:(1024+32备用)字;块大小:8倍设备:(128K+4K备用)字节,16倍设备:(64K+2K备用);页读/程序:随机存取:25μs(最大值),顺序存取:25ns(最小值),页程序时间:200μs(典型值),多层页程序时间(2页):200μs(典型值);缓冲读模式;快速块擦除:1.5ms(典型值),多块擦除时间(2块):1.5ms(典型值);状态寄存器;硬件数据保护:程序/擦除锁定在功率转换器件,非易失性保护项;数据的完整性:100000程序/擦除周期(具有ECC),10年的数据保留时间;操作电压:VDD=2.7~3.6V
引脚图: