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NTA4151PT1

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更新时间:2024-04-24 09:06:04
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NTA4151PT1外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:760mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 350mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):450mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:156pF @ 5V
  • 功率 - 最大:301mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装:SC-75,SOT-416
  • 包装:带卷 (TR)
NTA4151PT1 相关信息
  • 安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ
    ...种小型超薄封装选择,尺寸为1.6mm×1.6mm,厚度为0.6mm至1.0mm,有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入Trench MOSFET的门,以此提供良好的ESD保护。 这八款低压Trench MOSFET器件中的NTA4151PT1、NTE4151PT1、NTZS3151PT1和NTZD3152PT1是用于850mA高端负载开关的P沟道MOSFET,提供单模式和双模式;NTA4153NT1、NTE4153NT1和NTZD3154NT1是用于高达915mA低端负载开关的N沟道MOSFE...
  • 安森美新型低压沟道MOSFET
    ...,且封装越小,受ESD损害的可能性越大,安森美半导体所以将齐纳二极管集成至沟道MOSFET门,提供优异的ESD保护。总之,这些封装、性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间。 - NTA4151PT1,NTE4151PT1,NTZS3151PT1和NTZD3152PT1:用于达850 mA高端负载开关的P沟道MOSFET。提供单模式和双模式。- NTA4153NT1,NTE4153NT1 和NTZD3154NT1:用于高达915 mA低端负载开关的N沟...

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