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NTB125N02RT4G

更新时间:2025-07-03 20:57:19

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深圳市金灿利电子科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

NTB125N02RT4G 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.6 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
28nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3440pF @ 20V
功率 - 最大
1.98W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTB125N02RT4GOS

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