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nta4151pt1g中文资料

  • NTA4151PT1G的技术参数

    产品型号:nta4151pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20(min)源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):360最大漏极电流id(on)(a):0.760通道极性:p沟道封装/温度(℃):sc-75/-55 ~150描述:小信号p沟道-20 v, -760 ma mosfet 带esd保护价格/1片(套):￥1.16 来源:xiangxueqin

  • NTA4151PT1G的技术参数

    产品型号:NTA4151PT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20(min)
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):360
    最大漏极电流Id(on)(A):0.760
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150
    描述:小信号p沟道-20 V, -760 mA MOSFET 带ESD保护

nta4151pt1g替代型号

NTA4151PT1 NTA4151P NTA4001NT1G NTA4001N NT7534 NT73 NT68F63LG NT68F63L NT68F633LG NT6868A-0049

NTA4153N NTA4153NT1 NTA4153NT1G NTA7002NT1G NTB125N02RT4G NTB13N10 NTB18N06L NTB22N06L NTB23N03R NTB25P06

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