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NTD4963NT4G

更新时间:2025-07-04 01:25:40

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市汇芯诚电子科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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NTD4963NT4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 8.1A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

NTD4963NT4G 概述

NTD4963NT4G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用小巧的TSOP-6封装，非常适合需要紧凑设计的应用场景。其最大漏源电压（VDS）为30V，在25℃条件下连续漏极电流（ID）可达18A。该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)），典型值在4.5mΩ左右（当VGS = 10V时），这有助于减少导通损耗，提高效率。它广泛应用于直流 - 直流转换器、负载开关以及电池管理等电源管理系统中。使用时需注意散热设计以确保器件工作在安全温度范围内，并且在PCB布局上要尽量减小寄生电感影响以优化开关性能。

NTD4963NT4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.6 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
16.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1035pF @ 12V
功率 - 最大
1.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTD4963NT4G-NDNTD4963NT4GOSTR

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