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PBSS4032SN,115

更新时间:2025-05-29 04:02:27
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PBSS4032SN,115外观图

PBSS4032SN,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列

TRANS ARRAY NPN/NPN 30V 5.7A SO8

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PBSS4032SN,115 规格参数
  • 特色产品
    NXP - I2C Interface
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 NPN（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    5.7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    450mV @ 300mA，6A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    250 @ 2A，2V
  • 功率 - 最大
    2.3W
  • 频率 - 转换
    140MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    带卷 (TR)
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