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PHT6N06LT

更新时间:2025-05-04 06:16:05
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PHT6N06LT的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PHT6N06LT外观图

  • 典型关断延迟时间：25 ns
  • 典型接通延迟时间：11 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：4.5 nC V @ 5
  • 典型输入电容值@Vds：250 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：3.7mm
  • 封装类型：SC-73
  • 尺寸：6.7 x 3.7 x 1.7mm
  • 引脚数目：4
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：1800 mW
  • 最大栅源电压：±13 V
  • 最大漏源电压：55 V
  • 最大漏源电阻值：0.15
  • 最大连续漏极电流：5.5 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：双漏极、单
  • 长度：6.7mm
  • 高度：1.7mm
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