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QS6J11TR

更新时间:2025-05-19 01:26:48
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QS6J11TR外观图

QS6J11TR

ROHM Semiconductor FET - 阵列

MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

  • 封装:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
QS6J11TR 规格参数
  • 产品培训模块
    MOSFETs
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    105 毫欧 @ 2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    770pF @ 6V
  • 功率 - 最大
    600mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商设备封装
    TSMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
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