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STD11NM50N

更新时间:2025-05-12 06:17:00
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STD11NM50N的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STD11NM50N外观图

  • 其它有关文件：STD11NM50N View All Specifications
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：MDmesh™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：470 毫欧 @ 4.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：547pF @ 50V
  • 功率 - 最大：70W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：497-10567-6
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