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STD11NM60N-1

更新时间:2025-05-05 01:46:08
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STD11NM60N-1外观图

  • 标准包装：75
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：MDmesh™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：450 毫欧 @ 5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：850pF @ 50V
  • 功率 - 最大：90W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
  • 供应商设备封装：I-Pak
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-5963-5
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