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STD3N62K3

更新时间:2025-06-11 17:32:32

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STD3N62K3外观图

STD3N62K3

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

STD3N62K3 概述

STD3N62K3是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压(VDS)为620V，适用于高压应用场合。典型应用场景包括开关电源、LED驱动器、电机控制以及家用电器中的功率转换电路。在设计中使用时应注意适当的散热措施，并确保栅极驱动电压满足要求以保证器件正常开启和关闭。根据具体应用需求合理选择外围元件参数，如栅极电阻等，可优化整体电路性能。

STD3N62K3 规格参数

其它有关文件
STD3N62K3 View All Specifications
标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
620V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
385pF @ 25V
功率 - 最大
45W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-8478-6

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