STD5NK52ZD
5000
TO252/2025+
原装现货,实单支持
STD5NK52ZD
5000
TO252/23+
原装现货,实单支持
STD5NK52ZD
1996
TO252/23+
原装现货,实单支持
STD5NK52ZD
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
原厂渠道,现货配单
STD5NK52ZD
90000
TO252251/20+PB
20+PB
STD5NK52ZD
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/23+
原厂渠道,现货配单
STD5NK52ZD
5000
TO252/23+
原装现货,实单支持
STD5NK52ZD
6000
TO252/23+
原装现货,实单支持
STD5NK52ZD
10212
TO252/21+
原装现货终端免费提供样品
STD5NK52ZD
1996
TO252/2024+
公司现货库存,假一赔十
STD5NK52ZD
1996
TO252/2025+
原装现货,实单支持
STD5NK52ZD
3968
-/20+
现货 如非原装 假一罚十
STD5NK52ZD
28000
N/22+
原装现货只有原装.假一罚十
STD5NK52ZD
2658
DPak/23+
原装现货需要的加QQ3552671880 2987726803
STD5NK52ZD
330
TO252/2024+
只做原厂原装假一罚十可含税
STD5NK52ZD
18850
TO252DPAK/19+
专营三极管质量保证
STD5NK52ZD
5000
TO252/23+
原装现货,实单支持
STD5NK52ZD
12700
TO252/22+
诚信合作 一站配齐
STD5NK52ZD
9000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/22+
原厂渠道,现货配单
即从漏极到源极。电感l1对于流经q2和q1的尖峰电流表现出高阻抗。q1表现出额外的电流尖峰,增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了mosfet的导通过程。 为改善在这些特殊应用中体二极管的性能,研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性mosfet。当二极管导通后被反向偏置,反向恢复峰值电流irrm较小,完成恢复所需要的时间更短(见图3)。 图3:具有快速体二极管恢复特性mosfet,反向恢复峰值电流较小,恢复时间缩短。 我们对比测试了标准的mosfet和快恢复mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中,如图4b所示。在q1 mosfet(hf)的导通工作期间,开关损耗降低了65%。采用std5nk52zd时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下,壳温从60°c降低到50°c)。在这种拓扑中,mosfet内部的体二极管用作续流二极管,采用具有快速体二极管恢复特性mosfet更为合适。 图4:a) q2采用标准mosfet的开状态操作; b) q2采用st公司的std5nk52zd mosfet开状态操作。
极管d2被反向偏置, n区的少数载流子进入p+体区,反之亦然。这种快速转移导致大量的电流流经二极管,从n-epi到p+区,即从漏极到源极。电感l1对于流经q2和q1的尖峰电流表现出高阻抗。q1表现出额外的电流尖峰,增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了mosfet的导通过程。 为改善在这些特殊应用中体二极管的性能,研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性mosfet。当二极管导通后被反向偏置,反向恢复峰值电流irrm较小。 我们对比测试了标准的mosfet和快恢复mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中,如图4b所示。在q1 mosfet(hf)的导通工作期间,开关损耗降低了65%。采用std5nk52zd时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下,壳温从60°c降低到50°c)。在这种拓扑中,mosfet内部的体二极管用作续流二极管,采用具有快速体二极管恢复特性mosfet更为合适。 superfredmesh技术弥补了现有的fdmesh技术,具有降低导通电阻,齐纳栅保护以及非常高的dv/dt性能,并采用了快速体-
到p+区,即从漏极到源极。电感l1对于流经q2和q1的尖峰电流表现出高阻抗。q1表现出额外的电流尖峰,增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了mosfet的导通过程。 为改善在这些特殊应用中体二极管的性能,研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性mosfet。当二极管导通后被反向偏置,反向恢复峰值电流irrm较小,完成恢复所需要的时间更短(见图3)。 图3:具有快速体二极管恢复特性mosfet,反向恢复峰值电流较小,恢复时间缩短我们对比测试了标准的mosfet和快恢复mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中,如图4b所示。在q1 mosfet(hf)的导通工作期间,开关损耗降低了65%。采用std5nk52zd时效率和热性能获得很大提升(在不采用散热器的自由流动空气环境下,壳温从60°c降低到50°c)。在这种拓扑中,mosfet内部的体二极管用作续流二极管,采用具有快速体二极管恢复特性mosfet更为合适。 图4:a) q2采用标准mosfet的开状态操作; b) q2采用st公司的std5nk52zd mosfet开状态操作supe