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STD75N3LLH6

更新时间:2025-07-13 09:36:49

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STD75N3LLH6外观图

STD75N3LLH6

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 30V 75A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

STD75N3LLH6 概述

STD75N3LLH6是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的SuperMESH+技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能的电源转换应用。其最大漏源电压为30V，适合在低压系统中使用。典型应用场景包括同步整流、DC-DC转换器以及电池管理系统等需要高效能功率控制的场合。由于其快速开关特性和低栅极电荷，能够显著降低开关损耗，提高整体系统效率。在实际应用中，建议设计者注意栅极驱动电路的设计，确保足够的驱动电压以实现最佳性能。此外，在布局PCB时应尽量减小源极引脚与地平面之间的寄生电感，以减少振铃现象的发生。对于高频应用，还需要考虑适当的散热措施来维持器件工作温度在安全范围内。

STD75N3LLH6 规格参数

其它有关文件
STD75N3LLH6 View All Specifications
标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™ DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.5 毫欧 @ 37.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1690pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-10119-6

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