STD7N52K3
7500
-/20+
原装市场
STD7N52K3
150000
TO252/21+
原装现货,价格优势,支持bom表配单
STD7N52K3
2500
TO2523 (DPAK)/20+
只做原装 支持实单
STD7N52K3
6697
DPAK/23+
原装,授权代理
STD7N52K3
7500
TO2523 (DPAK)/24+
-
STD7N52K3
7500
TO2523 (DPAK)/23+
深圳原装现货
STD7N52K3
154836
TO252/23+
终端可以免费供样,支持BOM配单
STD7N52K3
65428
TO252/22+
只做现货,一站式配单
STD7N52K3
10000
TO2523/22+
只有原装,原装,假一罚十
STD7N52K3
2658
DPak/23+
原装现货需要的加QQ3552671880 2987726803
STD7N52K3
48000
DPAK/23+
只做原装,提供一站式配套服务,BOM表秒报
STD7N52K3
32365
DPAK/19+
原装特价提供样品
STD7N52K3
370838
TO252/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
STD7N52K3
5000
TO252/23+
原装现货,实单支持
STD7N52K3
5000
TO252/23+
原装现货,实单支持
STD7N52K3
12700
TO252/22+
诚信合作 一站配齐
STD7N52K3
9000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/22+
原厂渠道,现货配单
STD7N52K3
128000
TO252/23+
全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单
STD7N52K3
5000
DPAK/13+
原装正品,配单能手
permesh3的创新技术,结合更低的导通电阻,确保晶体管具有更高的能效。此外,配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度,将大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列产品的首款产品,随后还将推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技术可以降低导通电阻的优点,在620v电压下,dpak封装的std6n62k3把导通电阻rds(on)降低到 1.28ω;在525v电压下,std7n52k3把导通电阻rds(on)降低到0.98ω,从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间(trr)、栅电荷量和本征电容,提高开关性能和工作频率。 优化的垂直结构和带状拓扑的融合,为意法半导体的supermesh3技术增添了一个新的优点:即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性,supermesh3器件全部经过了100%的雪崩测试,并集成了齐纳二极管保护功能。 在可比的快速恢复高压晶体
permesh3的创新技术,结合更低的导通电阻,确保晶体管具有更高的能效。此外,配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度,将大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列产品的首款产品,随后还将推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技术可以降低导通电阻的优点,在620v电压下,dpak封装的std6n62k3把导通电阻rds(on)降低到 1.28ω;在525v电压下,std7n52k3把导通电阻rds(on)降低到0.98ω,从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间(trr)、栅电荷量和本征电容,提高开关性能和工作频率。 优化的垂直结构和带状拓扑的融合,为意法半导体的supermesh3技术增添了一个新的优点:即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性,supermesh3器件全部经过了100%的雪崩测试,并集成了齐纳二极管保护功能。 在可比的快速恢复高压晶体管技
permesh3的创新技术,结合更低的导通电阻,确保晶体管具有更高的能效。此外,配合优异的dv/dt性能及更高的击穿电压裕度,将大幅度提高可靠性和安全性。 620v的stx6n62k3是新推出的supermesh3系列产品的首款产品,随后还将推出620v的stx3n62k3和525v 的stx7n52k3 和stx6n52k3。利用supermesh3技术可以降低导通电阻的优点,在620v电压下,dpak封装的std6n62k3把导通电阻rds(on)降低到 1.28ω;在525v电压下,std7n52k3把导通电阻rds(on)降低到0.98ω,从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。新技术还降低反向恢复时间(trr)、栅电荷量和本征电容,提高开关性能和工作频率。 优化的垂直结构和带状拓扑的融合,为意法半导体的supermesh3技术增添了一个新的优点:即同类产品中最出色的dv/dt特性。这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为实现全方位的强健性,supermesh3器件全部经过了100%的雪崩测试,并集成了齐纳二极管保护功能。 在可比的快速恢复高压晶体管技