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NAND闪速存储器的数据读操作
tc58v64的读操作如图1所示。随着指令，利用节指定读出开始地址，开始进行数据读操作，地址及指令在we信号的上升沿被锁存。图1 tc58v64的读操作读操作时地址的指定方法如表1所示。最先给予的数据称为列地址，后面的两个周期中所给予的数据称为页地址。tc58v64的存储器具有1024个块，由于各个块又分割成16个页，所以a22～a13为块号（块地址），a12～a19为块内的页号（块内的nand地址）。表1 指定地址的方法读指令如果是00h，则a8＝“0”，如果读指令为01h，则a8＝“1”，所以没有指定 a8的位。 a22～al13：块地址 a12～a9：块内nand地址｝页地址 a7～a0：列地址这里有意思的是a8没有指定，而1页的大小为528字节，大于512。这样a9就成为了页地址。在此，将一页（528字节）分成256＋256＋16这样的结构（假设称为段）可能更容易理解。根据从一页的哪个段开始读，指令将被分离，读指令具有3个种类（00h，01h，50h）正是因为这个原因。而从各个段中的什么部位开始读是由列地址过渡的。当
NAND闪速存储器的内部结构
tc58v64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。图 tc58v64的内部结构 nand闪速存储器的特点 ①按顺序存取数据； ②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行分割； ③以块为单位进行擦除操作； ④以页为单位进行编程（写人）； ⑤页的大小存在尾数（tc28v64是roodzj字节）； ⑥也存在有坏块（bad block）的产品。以nand闪速存储器为主的用途是类似硅盘那样的文件保存器件。所谓的528写入页大小，就是在512字节（相当于一般的硬盘扇区大小）上增加了16字节的冗余数据字节，通过在这些冗余字节上添加纠错码，在写人与擦除的重复操作中，即使闪速存储器单元发生异常，数据也可以复原。另外，作为擦除的单位，即一块16页（转变为数据大小就是512字节×16＝8k）最好与主机端的文件管理单位一致。当读者看到特点⑥，即和普通存储器器件特点相同的最后一条，应该稍微有些吃惊吧。在产品供货期间，所有数据未成为ffh的块都作为坏块不进行擦除操作，必须做到在主机的文件管理软件中不利用这些
NAND闪速存储器的ID读操作
机自动识别与总线连接的器件的制造商名称／器件型号而设置的。id读指令用于读取该id代码。图1图示了id读操作的流程。图2图示了发送id读指令的操作。图1 id读指令的躁作流程图2 id读指令的操作在读取id时，发送id读指令（90h）之后，写人00h作为地址。由于90h是指令，所以虽然将ole设为有效（高电平），但由于紧跟着的00h是地址值，所以cle无效（低电平），而ale有效（高电平）。完成这样的流程后，通过下面2次的读取，可以读出制造商代码（tc58v64为98h）和器件代码（tc58v64为e6h）。欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）来源:ks99

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