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osfet。当驱动 3000pf 负载时，12ns 快速上升时间以及高端 mosfet 的 8ns 下降时间和低端 mosfet 的 5ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通，从而最大限度地减少了死区时间。 ltc4442/-1 具有一个用于电源级关断的三态 pwm 输入，它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件有一个单独的电源，用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2v 至 9.5v 的范围内驱动高端和低端 mosfet 栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。ltc4442-1 版本有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 照片说明：同步 mosfet 驱动器用于 dc/dc 转换器 性能概要：ltc4442/-1 · 同步 n 沟道 mosfet 驱动器 · 高驱动电流：提供 2.4a，吸收 5a · 自适应零贯通保护 ·
t。当驱动 3000pf 负载时，12ns 快速上升时间以及高端 mosfet 的 8ns 下降时间和低端 mosfet 的 5ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通，从而最大限度地减少了死区时间。 ltc4442/-1 具有一个用于电源级关断的三态 pwm 输入，它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件有一个单独的电源，用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2v 至 9.5v 的范围内驱动高端和低端 mosfet 栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。ltc4442-1 版本有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4442/-1性能概要 同步 n 沟道 mosfet 驱动器 高驱动电流：提供 2.4a，吸收 5a 自适应零贯通保护 高端 mosfet 栅极：驱动 3000pf 负载时，上升时间为 12ns，下降时间为 8ns 低端 mosfet
。当驱动 3000pf 负载时，12ns 快速上升时间以及高端 mosfet 的 8ns 下降时间和低端 mosfet 的 5ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通，从而最大限度地减少了死区时间。 ltc4442/-1 具有一个用于电源级关断的三态 pwm 输入，它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件有一个单独的电源，用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2v 至 9.5v 的范围内驱动高端和低端 mosfet 栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。ltc4442-1 版本有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4442/-1性能概要 同步 n 沟道 mosfet 驱动器 高驱动电流：提供 2.4a，吸收 5a 自适应零贯通保护 高端 mosfet 栅极：驱动 3000pf 负载时，上升时间为 12ns，下降时间为 8ns
当驱动 3000pf 负载时，12ns 快速上升时间以及高端 mosfet 的 8ns 下降时间和低端 mosfet 的 5ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通，从而最大限度地减少了死区时间。 ltc4442/-1 具有一个用于电源级关断的三态 pwm 输入，它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件有一个单独的电源，用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2v 至 9.5v 的范围内驱动高端和低端 mosfet 栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。ltc4442-1 版本有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4442/-1 采用耐热增强型 msop-8 封装，在 -40oc 至 85oc 的温度范围内工作，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.25 美元。 照片说明：同步 mosfet 驱动器用于 dc/dc 转换器 性能概要
sfet。当驱动 3000pf 负载时，12ns 快速上升时间以及高端 mosfet 的 8ns 下降时间和低端 mosfet 的 5ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通，从而最大限度地减少了死区时间。 ltc4442/-1 具有一个用于电源级关断的三态 pwm 输入，它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件有一个单独的电源，用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2v 至 9.5v 的范围内驱动高端和低端 mosfet 栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。ltc4442-1 版本有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4442/-1 采用耐热增强型 msop-8 封装，在 -40oc 至 85oc 的温度范围内工作，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.25 美元。 性能概要：ltc4442/-1 ·同步 n 沟道 mosfet 驱动器
中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。 选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50%左右。 稳压二极管的代换 稳压二极管损坏后，应采用同型号稳压二极管或电参数相同的稳压二极管来更换。 可以用具有相同稳定电压值的高耗散功率稳压二极管来代换耗散功率低的稳压二极管，但不能用耗散功率低的稳压二极管来代换耗散功率高的稳压二极管。例如，0.5w、6.2v的稳压二极管可以用1w、6.2v稳压二极管代换。 4、开关二极管的选用 开关二极管的作用是利用其单向导电特性使其成为一个较理想的电子开关。开关二极管除能满足普通二极管和性能指标要求外，还具有良好的高频开关特性（反向恢复时间较短），被广泛应用于家电电脑、电视机、通信设备、家用音响、影碟机、仪器仪表、控制电路、各类高频电路及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。 开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅
自适应贯通保护，以防止高端和低端 mosfet 同时导通，并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管，可简化电路。 ltc4443/-1 包括一个三态 pwm 输入以用于电源级停机，该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件还有一个单独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6v 至 9.5v 范围驱动高端和低端 mosfet 的栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，以用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 经过测试，保证在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 *同步 n 沟道 mosfet 驱动器
自适应贯通保护，以防止高端和低端 mosfet 同时导通，并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管，可简化电路。 ltc4443/-1 包括一个三态 pwm 输入以用于电源级停机，该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件还有一个单独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6v 至 9.5v 范围驱动高端和低端 mosfet 的栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，以用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 经过测试，保证在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 同步 n 沟道 mosfet 驱动器
自适应贯通保护，以防止高端和低端 mosfet 同时导通，并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管，可简化电路。 ltc4443/-1 包括一个三态 pwm 输入以用于电源级停机，该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件还有一个单独的电源，供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外，该器件在 6v 至 9.5v 范围驱动高端和低端 mosfet 的栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，以用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4443edd 和 ltc4443edd-1 都采用 3mm x 3mm dfn-12 封装，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.35 美元。ltc4443idd 和 ltc4443idd-1 经过测试，保证在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内工作，千片批购价为 1.50 美元。 性能概要：ltc4443/-1 同步 n 沟道 mosfet 驱动器
fet。当驱动 3000pf 负载时，12ns 快速上升时间以及高端 mosfet 的 8ns 下降时间和低端 mosfet 的 5ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端mosfet同时导通，从而最大限度地减少了死区时间。 ltc4442/-1 具有一个用于电源级关断的三态 pwm 输入，它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件有一个单独的电源，用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2v 至 9.5v 的范围内驱动高端和低端 mosfet 栅极，并在电源电压高达 38v 时工作。ltc4442-1 版本有较高的 6.2v vcc 欠压闭锁，而不是 3.2v，用来驱动标准 5v 逻辑 n 沟道 mosfet。 ltc4442/-1 采用耐热增强型 msop-8 封装，在 -40oc 至 85oc 的温度范围内工作，以 1,000 片为单位批量购买，每片价格为 1.25 美元。
h-zhbi厚膜集成直流变换器能将+24±1v的直流输入电压变换成共地的±15v输出电压和一个-6.2v的基准电压。它尤其是适用于3~4个运算放大器组成的控制系统的内馈电路用，也可供其它需要±15v供电的半导体器件使用。该变换器最大输出电流为30ma,若内部取消6.2v档则可增为40ma. 厚膜集成电路h-zhb1的管教排列如图5-25所示。技术指标见表5-7所附。 工作原理如图5-26所示。当厚膜集成电路h-zhb1的1脚和3脚接通24v直流电压时，由调整管vt1的2脚输出+15v直流电压，经vt2,vt3差动放大且通过前置管vt4激励互补对称管vt5,vt6进行电压放大，又经由c5,c6,vd3,vd4组成的倍压整流，加到调整管vt7使4脚输出-15v的直流电压，在稳压二极管vd7的5脚可取出-6.2v的直流电压。若想获取-5v的直流电压，在h-zhb1的3脚串接两只二极管vd8,vd9即可。 来源:阴雨
程，vt1迅速截止。vt1截止后，变压器t1储存的能量提供给负载，初级线圈np产生的1负2正的反向电压经二极管vd3整流滤波后，在c4得到5.8v的直流电压。通过手机的专用充电插头给手机充电。 在vt1截止时，直流供电输入电压和nb感应的3负4正的电压又经r1、r2给c2反向充电，逐渐提高vt1基极电位，使其重新导通，再次翻转达到饱和状态，电路就这样重复振荡下去。 vd1、vd2、c3等组成稳压电路，在vt1截止期间，nb感应的3负4正的电压经vd2向c3充电，当c3上的电压(上负下正)大于6.2v时．稳压二极管vd1开始导通起分流作用，减小vt1的基极电流，从而可以控制vt1的集电极电流ic，达到稳定输出电压的作用。 需要说明的是：由于输入直流电压低，不需要隔离，同时输入直流电压干和输出直流电压比较接近，因此高频变压器没有设次级线圈，负载电路的能量直接从初级线圈获取。这样做有两点好处：一是提高了电路的转换效率，二是vd3、c4、r4等同时又组成了浪涌电压吸收回路，吸收vt1截止瞬间产生的反向高压。 元器件选择与安装调试: vt1要求icm>1a，hef为50～100，可用2s
45的基极上。当取样电压大约大于1.4v，即开关管电流大于0.14a时，三极管c945导通，从而将开关管13003的基极电压拉低，从而集电极电流减小，这样就限制了开关的电流，防止电流过大而烧毁(其实这是一个恒流结构，将开关管的最大电流限制在140ma左右)。 变压器左下方的绕组(取样绕组)的感应电压经整流二极管4148整流，22uf电容滤波后形成取样电压。为了分析方便，我们取三极管c945发射极一端为地。那么这取样电压就是负的(-4v左右)，并且输出电压越高时，采样电压越负。取样电压经过6.2v稳压二极管后，加至开关管13003的基极。前面说了，当输出电压越高时，那么取样电压就越负，当负到一定程度后，6.2v稳压二极管被击穿，从而将开关13003的基极电位拉低，这将导致开关管断开或者推迟开关的导通，从而控制了能量输入到变压器中，也就控制了输出电压的升高，实现了稳压输出的功能。而下方的1kω电阻跟串联的2700pf电容，则是正反馈支路，从取样绕组中取出感应电压，加到开关管的基极上，以维持振荡。右边的次级绕组就没有太多好说的了，经二极管rf93整流，220uf电容滤波后输出6v的电压。没找
如图是温度/电流转换电路。图（a）的温度传感器采用铂热电阻，电路中，铂 热电阻rt与普通电阻r1～r4构成桥式电路，桥路的输出电压为u。1。u。u。1=r1△rvref/（r1+100ω+△r）（r1+100ω）。式中，△r为铂热电阻的 阻值变化量，uref为6.2v的基准电压。温度范围为0～60℃0。由表1中可知，△r=313.59ω-100ω=213.59ω，由于r1=27 kω，uref=6.2v，因 此，输出电压u。1=48.4mv。由于铂热电阻的非线性，电路中采用rp3进行非线性补偿，实际的输出电压稍大于上述计算值。转换电路采用专用 集成电路ad693ad，等效电路如图（c）所示，片内有传感器用的6.2v基准电压，信号放大器以及4～20ma电流转换电路。ad693ad的电压输入范围有30 mv和60 mv两种，用在15脚和16脚间接的电阻可在30～60 mv间进行调整，本电路采用rp2与r5将电压调整约为 50mv。rp1用于调零。这样，电路将铂热电阻检测的温度转换为4～20 ma的电流进行远距离的传输。 如表1 铂热电阻的温度特性 图（b）的温度传感器采用k热电
v720由截止转为导通的时刻，取决于t705中磁能的释放及（1）、（12）绕组与c710、c711的谐振情况。 稳压过程 稳压电路由v745及周边元件组成，t705的（7）、（8）绕组为取样绕组，经v741整流、c745滤波，c745上的电压反映了输出电压的大小，假如输出电压升高，则c745上的电压也升高，v745的c极电压升高，v725、v726提前导通，开关管提前截止，输出电压自动下降到110v。 保护电路 保护电路由v733、r734、v734等元件组成，v734为6.2v稳压管，正常情况下，r742两端的脉冲电压为3.5v左右，v734不能导通，保护电路不工作，一旦发生输出电压过高，则r742两端的脉冲电压也升高，当升高到大于6.2v时，v734导通，v733也导通，将c732的正端短路接地，开关脉冲全部让c732短路掉，开关电源停振。 待机/开机控制 待机时，cpu的power脚输出高电平，v760的e极也为高电平，光耦v741导通，v735也导通，将c732的正端短路接地，开关脉冲全部让c732短路掉，开关电源停振。开机时，cpu的power脚输
图中4148、22uf和变压器的反馈绕组构成半波整流电路，整流后电压对c045射极为负。6.2v稳压管显然使13003基极电压不会超过这个负电压再加6.2v。市电电压升高，振荡变强，这个负电压也变大，但6.2v不会变，因此13003得到的基极驱动变负，使振荡减弱。所以这部分电路有稳定输出的作用。
说明按资料说，正常状态，r22两端应该在110mv,可实际却不如此。1、刚上电时，1085输出是6.2v，r22两端是100mv，可是马上1085输出电压、r22两端电压马上降低，分别降到3点几伏和20mv.2、换了另一批次的1085，现象又不一样了。1085输出一直维持6.2v，r22两端电压为110mv，但是2~5秒后1085就没输出了，过几秒又有输出了。我的电路是按标准电路接的，一直没找到毛病，头疼死了。后来我在1085输出串了个10欧姆的电阻，则r22两端电压一直为20几毫伏，还是不正常，但1085一直有输出，为6.2v。大家指点指点。
三极管c945的基极上。当取样电压大约大于1.4v，即开关管电流大于0.14a时，三极管c945导通，从而将开关管13003的基极电压拉低，从而集电极电流减小，这样就限制了开关的电流，防止电流过大而烧毁(其实这是一个恒流结构，将开关管的最大电流限制在140ma左右)。变压器左下方的绕组(取样绕组)的感应电压经整流二极管4148整流，22uf电容滤波后形成取样电压。为了分析方便，我们取三极管c945发射极一端为地。那么这取样电压就是负的(-4v左右)，并且输出电压越高时，采样电压越负。取样电压经过6.2v稳压二极管后，加至开关管13003的基极。前面说了，当输出电压越高时，那么取样电压就越负，当负到一定程度后，6.2v稳压二极管被击穿，从而将开关13003的基极电位拉低，这将导致开关管断开或者推迟开关的导通，从而控制了能量输入到变压器中，也就控制了输出电压的升高，实现了稳压输出的功能。而下方的1kω电阻跟串联的2700pf电容，则是正反馈支路，从取样绕组中取出感应电压，加到开关管的基极上，以维持振荡。右边的次级绕组就没有太多好说的了，经二极管rf93整流，220uf电容滤波后输出6v的电压。没找
你的图跟上面的图不一样。当比较器输出高时，r8通过10k电阻和三极管be结到地。当比较器输出低时，r8直接通过10k电阻到地。分析时，首先假设电压在正常的范围内。那么a1输出低，a2输出高。我们现在只看a2。由于a2是高，那么就是r8跟r11串联后跟rp2并联（忽略三极管be结压降，更精确的计算需要考虑该压降），假设rp2是10k，跟23k的电阻并联后，是6.67k，当6.67k的电阻上电压是6.2v时，上面的6.2k的电阻的电压就是5.76v，那么过放动作点电压就是6.2+5.76=11.96v。当低于此电压后，a2翻转，输出低电平。此时rp2只跟r8并联，即为5.65k，其两端电压为6.2v时，6.2k电阻上的电压为6.8v，所以退出过放保护状态的电压为6.2+6.8=13v。如果按照楼主所给的图上标的参数，rp2即使取到最大，过放保护电压也调不到11.5v。过充保护分析方法类似。
可能遗漏点说明其实两个输入端的电压就是在+6.2v左右波动的直流，一个输入端来自整流滤波后的+15v分压得到，另一个输入端用稳压管稳在6.2v。他这样用应该是一种精确调整运放输出吧，但具体分析思路不是很清晰。希望大家具体分析分析。谢谢啊！
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