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    沛易电子科技(苏州)有限公司

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    资质: VIP会员1年 、营业执照

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    资质: 金牌会员6年 、营业执照

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  • 厦门隆展工贸有限公司

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    深圳市福田区天龙伟业电子商行

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    北京晶川电子技术发展有限责任公司

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LM358技术文章
  • 2SD315模块在IGBT驱动保护电路中的应用

    水平,而目前电力电子器件受电压、电流水平的限制成为电力电子及电气传动行业发展的瓶颈,而 igbt则是其中一例。在现有的igbt技术水平上如何能够使其发挥最大功能,这是主要而又关键的问题,除了合理的软件控制方法外,无疑igbt的驱动保护电路是又一重要环节。目前,igbt的控制保护电路很多,但在集成度,可靠性等方面还不够完善,本文就此在介绍igbt基本性能的基础上介绍一种基于 concept公司的2sd315模块的igbt驱动保护电路。 2、igbt特性及驱动设计 本文以eupec公司型号为ff450r17me3的igbt为例进行说明。通过查找其技术手册可得:在其节温为125℃,器件集电极与发射级间压降为 uce=900v,门极驱动电压uge=±15v,ic=450a,限流电阻rg=3.3ω时tdon=100ns,tdoff=1000ns.但在门极电阻rg不同时,其开关速度也是不同的,当rg小时,其与门极电容的时间常数短,使igbt深度饱和导通的时间短,反之则长。而igbt得开关速度直接影响系统效率,但是考虑到di/dt与du/dt对igbt本身的副作用,又不能使限流电阻过小。一般限流电阻的选择可参照以

  • 分析变流器核心器件MOSFET与IGB性能

    的并联使用 要实现功率器件的并联使用,应满足两个条件: 1、并联使用功率器件的一致性好(要选用同一批次的); 2、其导通电阻或饱和压降为正温度系数。 mosfet的导通电阻都是正温度系数的,很容易实现并联使用。 igbt则不然,有的igbt饱和压降是负温度系数的,有的igbt饱和压降是正温度系数的。 负温度系数饱和压降的igbt并联使用难于均流,所以,不宜并联使用。 正温度系数饱和压降的igbt是可以并联使用的,并且能够达到很好的均流效果 例如,infineon的ff450r17me3,下图是其饱和压降的温度特性,当集电极电流大于100a时,饱和压降有良好的正温度系数。本人使用两个模块并联,输出总电流400a交流有效值,实测并联模块电流的不均匀度小于5%。 三菱的cm400du-24nfh,该器件最大额定电流为400a,这是一个开关速度很快的igbt,其饱和压降比较大,一般应用在工作频率较高的地方,所以,总损耗较大,因此一般峰值电流在200a左右。从下图可以清楚地看到,该igbt集电极电流小于350a时,其饱和压降为负温度系数。 来源:qick

ff450r17me3替代型号
FF400R12KS4 FF400R12KE3 FF300R12KE3 FF150R12KS4 FF150R12KE3G FF1152 FEVER FE8D FE3B FE20

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