5111
TO220FPAC/1J26DX
公司现货库存,可开增值税。
FFPF08H60STU
10000
-/22+
智其伟业-原装 价优 可含税
FFPF08H60S
3500
TO252/22+
假一罚十,增值税含税
FFPF08H60S
15000
TO220F/22+
原装现货 平价清仓
FFPF08H60S
32363
19+/TO220F
只做原装
FFPF08H60S
6500
TO220F/23+
只做原装现货
FFPF08H60S
5000
TO220F/2019+
原装现货配单
FFPF08H60S
5000
TO220F/24+
房间现货,诚信经营,提供BOM配单服务
FFPF08H60S
6500
TO220F/21+
原装正品
FFPF08H60S
21800
TO220F/23+
现货库存,如实报货,价格优势,一站式配套服务
FFPF08H60S
23412
TO220F/23+
提供一站式配单服务
FFPF08H60S
14850
TO220F/2022+
特价现货,没有最低,只有更低
FFPF08H60S
69000
TO220F/21+
原厂原装现货 假一赔十
FFPF08H60S
2300
-/2035+
原厂原装现货库存支持单天发货
FFPF08H60S
30000
TO220F/2022+
进口原装现货供应,原装 假一罚十
FFPF08H60S
10372
TO220F2/22+
十年配单,只做原装
FFPF08H60S
8400
TO220F/23+
专注配单,只做原装进口现货
FFPF08H60S
9091
TO220F/22+
原厂原装现货
FFPF08H60S
6800
TO220F/23+
专注配单,只做原装进口现货
rchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间(trr<35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf<2.1v),有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。 stealth ii/
th™ ii 和 hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。 同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet™ 及 superfet™ mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率
) 推出全新stealth ii 和 hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet 及 superfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。
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rchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间(trr<35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf<2.1v),有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。 st