FM21L16-60-TG
12150
TSOP44/22+
市场价原厂原装假一罚十
FM21L16-60-TG
100000
TSOP/-
现货库存，如实报货，价格优势，一站式配套服务
FM21L16-60-TG
6000
TSOP44/21+/22+
全新原装可提供BOM配单
FM21L16-60-TG
200
TSSOP44/19+
十年芯程，只做原装
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2986
TSOP/07+
只做原装，也只有原装
FM21L16
80000
-/23+
原装现货
FM21L16
65286
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样
FM21L16
69800
SMD/2022+
特价现货，提供BOM配单服务
FM21L16
8913
TSOP/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分
FM21L16
3000
SMD/N/A
原装正品热卖，价格优势
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15000
2016+/21+
亚洲最权威元器件配单商城
FM21L16
75000
SMD/2020+
原装现货配单
FM21L16
2986
TSOP/07+
优势好价 靠谱原装 终端优选供应商
FM21L16
80000
-/23+
原装现货
FM21L16
30890
SMD/2021+
原装，可提供一站式配套服务
FM21L16
10000
TSSOP44/22+
只有原装支持实单
FM21L16
8700
SMD/2023+
原装现货
FM21L16
2986
TSOP/07+
只做原装 支持BOM配单服务 企业QQ 3003975274
FM21L16
5000
SMD/23+
优势产品大量库存原装现货
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2Mbit FRAM Memory
RAMTRON [Ramtron International Corporation]
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2Mbit FRAM Memory
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非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation推出2兆位 (mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度f-ram系列。fm21l16是采用44脚tsop-ii封装的3v、2mb并行非易失性ram，具有访问速度快、nodelay 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。fm21l16与异步静态ram (sram) 管脚兼容，其目标应用是以sram为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 ramtron 全球市场策划部经理duncan bennett称：“这是ramtron与德州仪器 (ti) 合作推出的第二款高密度性能超群的f-ram器件，是f-ram存储器系列的新一代产品。fm21l16提供了能替代mram、电池支持sram (bbsram) 及nvsram且别具成本优势的解决方案。除了低成本及小尺寸封装之优势外，f-ram较之于mram消耗更少的工作功耗与待机功耗，并且毋需像bbsram与nvsram那样，需要使用后备电池或板载电容器来备份数据。” fm21
非易失性铁电随机存取存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation推出2兆位并行存储器产品，进一步扩展其高密度f-ram系列。fm21l16是采用44脚tsop-ii封装的3v、2mb并行非易失性ram，具有访问速度快、nodelay无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。fm21l16与异步静态ram(sram)管脚兼容，其目标应用是以sram为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 fm21l16是128k×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口，能以总线速度进行读写操作，使用寿命超过100万亿次写入和超过10年的数据保存能力。该器件的存取时间为60ns，周期为110ns，内置先进的写保护配置以避免意外的写操作及数据损坏。 2mb f-ram是标准异步sram的直接替代产品，而毋需电池进行数据备份，从而显著改进系统结构与可靠性。与电池支持的sram不同，fm21l16是真正的表面贴装解决方案，不需要提供附加电池的重写入操作，且防止潮湿、冲击和振动的危害。
ramtron推出2兆位 (mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度f-ram系列。fm21l16是采用44脚tsop-ii封装的3v、2mb并行非易失性ram，具有访问速度快、nodelay™ 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。fm21l16与异步静态ram (sram) 管脚兼容，其目标应用是以sram为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 ramtron 全球市场策划部经理duncan bennett称：“这是ramtron与德州仪器 (ti) 合作推出的第二款高密度性能超群的f-ram器件，是f-ram存储器系列的新一代产品。fm21l16提供了能替代mram、电池支持sram (bbsram) 及nvsram且别具成本优势的解决方案。除了低成本及小尺寸封装之优势外， f-ram较之于mram消耗更少的工作功耗与待机功耗，并且毋需像bbsram与nvsram那样，需要使用后备电池或板载电容器来备份数据。” fm21l16特点 fm21l16是128k x 16 非易失性存储器，采用工业标准并行接口，能以总线速度进行读写操
非易失性铁电随机存取存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation推出2兆位并行存储器产品，进一步扩展其高密度f-ram系列。fm21l16是采用44脚tsop-ii封装的3v、2mb并行非易失性ram，具有访问速度快、nodelay无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。fm21l16与异步静态ram(sram)管脚兼容，其目标应用是以sram为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 fm21l16是128k×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口，能以总线速度进行读写操作，使用寿命超过100万亿次写入和超过10年的数据保存能力。该器件的存取时间为60ns，周期为110ns，内置先进的写保护配置以避免意外的写操作及数据损坏。 2mb f-ram是标准异步sram的直接替代产品，而毋需电池进行数据备份，从而显著改进系统结构与可靠性。与电池支持的sram不同，fm21l16是真正的表面贴装解决方案，不需要提供附加电池的重写入操作，且防止潮湿、冲击和振动的危害。 fm21l16具备能与
2M位非易失性铁电存储器,结构容量为128K×16位,可用作/Us,/LB配置为256K×8；1万亿次的读写次数,写数据无延时,分页模式操作速度达40MHz,采用先进的高可靠性的铁电制造工艺； 兼容SRAM,符合工业Std标准128K×16SRAM,存取时间60ns,周期时间110ns； 低电压YDD监测保护存储器防止误写入；软件可编程模块写保护:相对于有电池后备的SRAM组件:不涉及电池； 单片可靠性； 真正表面贝占装解决方案； 低功率操作:工作电压2.7～3.6V,低电流模式5μA（ZZ引脚）,工作电流18mA；工业标准配置:工业级温度－40～＋85℃；遵从RoHS标准
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation推出2兆位 (mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度f-ram系列。fm21l16是采用44脚tsop-ii封装的3v、2mb并行非易失性ram，具有访问速度快、nodelay 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。fm21l16与异步静态ram (sram) 管脚兼容，其目标应用是以sram为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 ramtron 全球市场策划部经理duncan bennett称：“这是ramtron与德州仪器 (ti) 合作推出的第二款高密度性能超群的f-ram器件，是f-ram存储器系列的新一代产品。fm21l16提供了能替代mram、电池支持sram (bbsram) 及nvsram且别具成本优势的解决方案。除了低成本及小尺寸封装之优势外，f-ram较之于mram消耗更少的工作功耗与待机功耗，并且毋需像bbsram与nvsram那样，需要使用后备电池或板载电容器来备份数据。” fm21l
非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation推出2兆位 (mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度f-ram系列。fm21l16是采用44脚tsop-ii封装的3v、2mb并行非易失性ram，具有访问速度快、nodelay 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。fm21l16与异步静态ram (sram) 管脚兼容，其目标应用是以sram为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 ramtron 全球市场策划部经理duncan bennett称：“这是ramtron与德州仪器 (ti) 合作推出的第二款高密度性能超群的f-ram器件，是f-ram存储器系列的新一代产品。fm21l16提供了能替代mram、电池支持sram (bbsram) 及nvsram且别具成本优势的解决方案。除了低成本及小尺寸封装之优势外，f-ram较之于mram消耗更少的工作功耗与待机功耗，并且毋需像bbsram与nvsram那样，需要使用后备电池或板载电容器来备份数据。” fm21l1
非易失性铁电随机存取存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation推出2兆位并行存储器产品，进一步扩展其高密度f-ram系列。fm21l16是采用44脚tsop-ii封装的3v、2mb并行非易失性ram，具有访问速度快、nodelay无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。fm21l16与异步静态ram(sram)管脚兼容，其目标应用是以sram为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 fm21l16是128k×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口，能以总线速度进行读写操作，使用寿命超过100万亿次写入和超过10年的数据保存能力。该器件的存取时间为60ns，周期为110ns，内置先进的写保护配置以避免意外的写操作及数据损坏。 2mb f-ram是标准异步sram的直接替代产品，而毋需电池进行数据备份，从而显著改进系统结构与可靠性。与电池支持的sram不同，fm21l16是真正的表面贴装解决方案，不需要提供附加电池的重写入操作，且防止潮湿、冲击和振动的危害。 fm21l16具备能与
非易失性铁电随机存取存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation推出2兆位并行存储器产品，进一步扩展其高密度f-ram系列。fm21l16是采用44脚tsop-ii封装的3v、2mb并行非易失性ram，具有访问速度快、nodelay无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。fm21l16与异步静态ram(sram)管脚兼容，其目标应用是以sram为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 fm21l16是128k×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口，能以总线速度进行读写操作，使用寿命超过100万亿次写入和超过10年的数据保存能力。该器件的存取时间为60ns，周期为110ns，内置先进的写保护配置以避免意外的写操作及数据损坏。 2mb f-ram是标准异步sram的直接替代产品，而毋需电池进行数据备份，从而显著改进系统结构与可靠性。与电池支持的sram不同，fm21l16是真正的表面贴装解决方案，不需要提供附加电池的重写入操作，且防止潮湿、冲击和振动的危害。 fm21l16具备能与当前高
ramtron international corporation推出2兆位 (mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度f-ram系列。fm21l16是采用44脚tsop-ii封装的3v、2mb并行非易失性ram，具有访问速度快、nodelay™ 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。fm21l16与异步静态ram (sram) 管脚兼容，其目标应用是以sram为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 fm21l16是128k x 16 非易失性存储器，采用工业标准并行接口，能以总线速度进行读写操作，使用寿命超过100万亿次写入和超过10年的数据保存能力。该器件的存取时间为60ns，周期为110ns，内置先进的写保护配置以避免意外的写操作及数据损坏。 2mb f-ram是标准异步sram的直接替代产品，而毋需电池进行数据备份，从而显著改进系统结构与可靠性。与电池支持的sram不同，fm21l16是真正的表面贴装解决方案，不需要提供附加电池的重写入操作，且防止潮湿、冲击和振动的危害。 fm21l16具备能与当前高性能微处理器相连的工业标准
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