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800khz的模拟pwm调节器、具有自复位控制功能的可编程双向过电流保护(ocp)、欠压锁定保护(uvlo),以及可以扩展功率设计的可编程预置死区时间等。 数字音频mosfet技术资料 该ic还备有丰富的数字音频mosfet,可满足从50w到500w的输出功率。作为ir的irfi4x 、irfb422x 和directfet 系列的一部分,这些mosfet都对音频性能的关键参数进行了优化,例如效率、总谐波失真(thd)和电磁干扰(emi)。 iraudamp5 参考设计 iraudamp5 参考设计可加速开发和评估。在irs2092 ic 和 irf6645 directfet 功率 mosfet 基础上,双通道设计采用120w半桥功率放大器,可以适用于不同功率和通道数,在正常工作环境下无需散热器。该设计在120w的mosfet 级可实现96%的效率,在1khz、60w、4ω的条件下thd+n为0.005%(均为典型值) 。 ic 规格 产品编号 偏置电压 流入/流出电流 vccran
irs2092的主要功能包括:频率可达800khz的模拟pwm调节器、具有自复位控制功能的可编程双向过电流保护(ocp)、欠压锁定保护(uvlo),以及可以扩展功率设计的可编程预置死区时间等。 数字音频mosfet技术资料 该ic还备有丰富的数字音频mosfet,可满足从50w到500w的输出功率。作为ir的irfi4x 、irfb422x 和directfet 系列的一部分,这些mosfet都对音频性能的关键参数进行了优化,例如效率、总谐波失真(thd)和电磁干扰(emi)。 iraudamp5 参考设计 iraudamp5 参考设计可加速开发和评估。在irs2092 ic 和 irf6645 directfet 功率 mosfet 基础上,双通道设计采用120w半桥功率放大器,可以适用于不同功率和通道数,在正常工作环境下无需散热器。该设计在120w的mosfet 级可实现96%的效率,在1khz、60w、4ω的条件下thd+n为0.005%(均为典型值) 。 来源:零八我的爱
能的预期,在一些相对中、高端的应用,如中、高价位的家庭影院、家庭立体声音响、有源扬声器、乐器和专业音频等领域,受d类的音频质量差于ab类的看法的影响,加上设计人员对系统功耗和体积的不重视,d类音频放大器目前还没有得到广泛的采用。ir最近推出的新型d类音频放大器打破了这一瓶颈。 “通常情况下,的确是ab类放大器的音频质量高于d类,然而事实正在改变,”国际整流器公司全球市场资讯副总裁graham robertson表示,“采用ir的irs2092s d类放大器和irf6645 mosfet的iraudamp5音频参考设计方案,在输入1khz、接4ω负载时我们可以看到,在80w以下区域,thd+n实际上是低于传统的ab类放大器,而在60w附近,d类布局的thd+n更是达到了0.005%的水平。只有在80w到140w区域,ab类的性能才稍稍高过d类,即使在120w,该d类布局的thd仍不超过1%。”对于传统的家庭音响设备,消费者在日常使用时每个声道的功耗经常是在几十瓦的范围,因此在音响功放设备中采用该d类架构很好的满足了需求且达到了超过ab类的音效质量。 由于音频质量上的长足进步,d类音频放大器
而又昂贵的设计工作。 irs2092的主要功能包括:频率可达800khz的模拟pwm调节器、具有自复位控制功能的可编程双向过电流保护(ocp)、欠压锁定保护(uvlo),以及可以扩展功率设计的可编程预置死区时间等。 该ic还备有丰富的数字音频mosfet,可满足从50w到500w的输出功率。作为ir的irfi4x 、irfb422x 和directfet 系列的一部分,这些mosfet都对音频性能的关键参数进行了优化,例如效率、总谐波失真(thd)和电磁干扰(emi)。 iraudamp5参考设计可加速开发和评估。在irs2092 ic和irf6645 directfet功率mosfet基础上,双通道设计采用120w半桥功率放大器,可以适用于不同功率和通道数,在正常工作环境下无需散热器。该设计在120w的mosfet 级可实现96%的效率,在1khz、60w、4ω的条件下thd+n为0.005%(均为典型值)。
又昂贵的设计工作。 irs2092的主要功能包括:频率可达800khz的模拟pwm调节器、具有自复位控制功能的可编程双向过电流保护(ocp)、欠压锁定保护(uvlo),以及可以扩展功率设计的可编程预置死区时间等。 该ic还备有丰富的数字音频mosfet,可满足从50w到500w的输出功率。作为ir的irfi4x 、irfb422x 和directfet 系列的一部分,这些mosfet都对音频性能的关键参数进行了优化,例如效率、总谐波失真(thd)和电磁干扰(emi)。 iraudamp5 参考设计可加速开发和评估。在irs2092 ic 和 irf6645 directfet 功率 mosfet 基础上,双通道设计采用120w半桥功率放大器,可以适用于不同功率和通道数,在正常工作环境下无需散热器。该设计在120w的mosfet 级可实现96%的效率,在1khz、60w、4ω的条件下thd+n为0.005%(均为典型值) 。