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IR MOSFET及控制芯片组方案
比于业界标准的四分之一砖设计，该芯片组能有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。 ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。设计师可从100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四种directfet mosfet选择所需产品，组成完整的芯片组。这些mosfet采用ir最新技术及directfet封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求。整体而言，irf6644可提升约46% 输出功率，并有助于平衡转换器初级和次级部分的温度。相比类似电气参数的其它方案，irf6644的导通电阻降低了约48%。 irf6644的组合式导通电阻与栅电荷的主要指

IR推出通用有源ORing控制器集成电路
通信设备的-48v/-24v输入有源oring、用于冗余ac-dc整流器的24v/48v输出有源oring、用于多路输出dc-dc及ac-dc电源的12v输出有源oring，以及低电压输出的冗余vrm dc-dc处理器电源。在12v输出的系统中，只需并联4个irf6609 directfet mosfet，便可组成能处理100a电流的oring电路。ir5001s还可以用于48v/24v系统的反向极性应用，取代大型的d2pak二极管和昂贵的继电器。如果把ir5001s与100v的irf6655 directfet mosfet配合使用，可以提供30w到60w功率级的板上电源。采用小罐式封装的irf6655比采用so-8封装的体积减少一半，更适合功率较低的应用系统。采用中罐式封装的100w irf6644 directfet mosfet适用于功率较高的应用，能提供250w到300w功率级的板上电源，而且无需使用多个并联的so-8器件或体积更大的独立封装器件。如果加入简单的电荷泵电路，ir5001s可加装在-48v系统的接地oring端，以符合“先进电信计算架构”(atca)的
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的四分之一砖设计，该芯片组能有效节省多达50% 的电路板空间，并可减少60% 的组件数目。 ir2086s设有一个集成软启动电容器，能在2,000余个周期内把工作周期逐步增加至50%，以限制在启动阶段输入的电流；同时在整个启动过程中为全桥的高、低端mosfet保持相同的脉冲宽度。新器件的其它特点包括自恢复电流限制保护、(1.2a栅驱动电流及50 - 200毫微秒的可调停滞时间以抗衡击穿电流、最高达500khz的可编程开关频率。设计师可从100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四种directfet mosfet选择所需产品，组成完整的芯片组。这些mosfet采用ir最新技术及directfet封装，能大幅优化导通电阻、栅电荷等重要器件指标。由于器件温度更低，因此无需在初级部分添加并行器件，即可满足更高电流要求。整体而言，irf6644可提升约46% 输出功率，并有助于平衡转换器初级和次级部分的温度。相比类似电气参数的其它方案，irf6644的导通电阻降低了约48%。 irf6644的组合式导通电阻与栅电荷

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