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事情。lidow博士提供的一些资料增加了说服力,在一个基于导通电阻性能带来的不同材料功率器件成本比较中,第一代gan出色的性能远超si和sic,并且目前epc公司的两款gan器件epc1010和epc1001所实现的封装面积还远未到gan器件理论极限,“这也意味着,gan器件在优化成本上的空间还很巨大,”lidow说。 在另一个有关功率器件品质因数(fom)的比较图中,epc1010分别同三家公司的的mosfet(vishay的si7462dp、fairchild的fdms2672和ir的irf6641)进行比较的结果也令人惊讶——epc1010的fom值较三者中表现最好的irf6641还要低将近20倍!fom =rds(on) x qg (200v),由此可见gan器件在导通损耗和开关损耗两项关键值上表现优异。 lidow强调,mosfet工作模式有两类——耗尽型(depletion mode)和增强型(enhancement mode),即正常情况下导通和断开两种工作模式,epc采取了其中的增强型模式,其产品为egan型。而竞争者ir的gan产品为耗尽型模式,“以d类音频放大为例,e