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前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512mb、1gb的需要4个周期，而2、4gb的需要5个周期。 2、页容量 每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存（4gb）提高了页的容量，从512字节提高到2kb。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m为例，前者为1gb，512字节页容量，随机读（稳定）时间12μs，写时间为200μs；后者为4gb，2kb页容量，随机读（稳定）时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20mhz。 读取性能 nand型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器（随机读稳定时间）→数据传出（每周期8bit，需要传送512+16或2k+64次）。 k9k1g08u0m读一个页需要： 5个命令、寻址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μ
前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512mb、1gb的需要4个周期，而2、4gb的需要5个周期。 2．页容量 每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存(4gb)提高了页的容量，从512字节提高到2kb。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m为例，前者为1gb，512字节页容量，随机读(稳定)时间12μs，写时间为200μs；后者为4gb，2kb页容量，随机读(稳定)时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20mhz。 读取性能：nand型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit，需要传送512+16或2k+64次)。 k9k1g08u0m读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；k
和精细的电路设计的关键技术是3d单元晶体管结构和高介质栅绝缘技术.此外,通过广泛使用的krf光刻印刷术,每位的成本降低了50%. samsung在60nm技术中通过采用多级单元(mlc)技术,进一步增强了这种技术.新的8gb mlc nand闪存扩充了samsung闪存系列产品,满足对有效率和高性价比的非易失性存储设备日益增长的市场需求.mlc技术还给设计者提拔供了低功耗小形状系数存储解决方案的有竞争力的选择,使低容量移动内硬盘能用在紧凑的移动设计中. k9w8g08u1m是采用两个4gb的k9k4g08u0m堆栈起来的,48引脚tsop封装(12x12mm,间距0.5mm),有(512m+16384k)x8位或(256m+8192k)x16位两种配置,工作电压1.70-1.95v或2.7-3.6v两种,能在300us内完成2112b(x器件)或1056字(x16器件)页编程,在2ms内完成对128kb(x8器件)或64k字(x16器件)区块擦除,数据页中的数据能在50ns内读出,片内写控制器自动化所有的编程和擦除功能. 8gb nand闪存将使设计者能在单存储卡中达到16gb存储量.16gb存储器
电源电压：Vcc＝2.7～3.6V； 结构：存储器单元阵列：(512M＋16384K)×8位,数据存储器：(2K＋64)×8位,缓存存储器：(2K＋64)×8位； 自动编程和擦除：页编程：(2K＋64)字节,块擦除：(128K＋4K)字节； 页读操作：页大小：2KB,随机存取：25μs(最大值),串行访问：30ns(最小值)； 快速写周期时间：编程时间：300μs(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定； 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间； 指令存储器操作；上电自读操作； 封装：48引脚的TSOP封装
1．页数量 越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512mb、1gb的需要4个周期，而2、4gb的需要5个周期。 2．页容量 每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存(4gb)提高了页的容量，从512字节提高到2kb。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星k9k1g08u0m和k9k4g08u0m为例，前者为1gb，512字节页容量，随机读(稳定)时间12μs，写时间为200μs；后者为4gb，2kb页容量，随机读(稳定)时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20mhz。 读取性能：nand型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit，需要传送512+16或2k+64次)。 k9k1g08u0m读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；k9k1g08u0
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