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  • NTHD3101FT3G的技术参数

    产品型号:nthd3101ft3g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80最大漏极电流id(on)(a):4.400通道极性:p封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:20v,4.4a,p沟道mosfet,带肖特基二极管价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTHD3101FT3G的技术参数

    产品型号:NTHD3101FT3G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80
    最大漏极电流Id(on)(A):4.400
    通道极性:P
    封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
    描述:20V,4.4A,P沟道MOSFET,带肖特基二极管
    价格/1片(套):暂...

nthd3101ft3g替代型号

NTHD3101FT1G NTHD3100CT1G NTHD2102PT1G NTHC5513T1G NTHC5513 NTH5G16P33B103J07TH NTGS4111PT1G NTGS3455T1G NTGS3455T1 NTGS3455

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