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nthd4102pt1g中文资料

  • NTHD4102PT1G的技术参数

    产品型号:nthd4102pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):1源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):64@-4.5v最大漏极电流id(on)(a):1通道极性:p/p沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:-4.1a, -20v双功率mosfet价格/1片(套):￥2.90 来源:xiangxueqin

  • NTHD4102PT1G的技术参数

    产品型号:NTHD4102PT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):1
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):64@-4.5V
    最大漏极电流Id(on)(A):1
    通道极性:P/P沟道
    封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
    描述:-4.1A, -20V双功率MOSFET
    价格/1片(套):￥2.90<...

nthd4102pt1g替代型号

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