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  • NTMS4107NR2G的技术参数

    产品型号:ntms4107nr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.400最大漏极电流id(on)(a):1.800通道极性:n沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:30 v, 18 a功率mosfet价格/1片(套):￥8.60 来源:xiangxueqin

  • NTMS4107NR2G的技术参数

    产品型号:NTMS4107NR2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.400
    最大漏极电流Id(on)(A):1.800
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
    描述:30 V, 18 A功率MOSFET
    价格/1片(套):￥8.60
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ntms4107nr2g替代型号

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