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  • NTR0202PLT1G的技术参数

    产品型号:ntr0202plt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):800最大漏极电流id(on)(a):0.400通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150描述:-20 v, -400 ma,双功率mosfet价格/1片(套):¥1.20 来源:xiangxueqin

  • NTR0202PLT1G的技术参数

    产品型号:NTR0202PLT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):800
    最大漏极电流Id(on)(A):0.400
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
    描述:-20 V, -400 mA,双功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1....

ntr0202plt1g替代型号

NTR0202PLT1 NTQD6968NR2G NTQD6866R2G NTP90N02G NTP90N02 NTP85N03 NTP75N06G NTP75N06 NTP75N03R NTP75N03L09G

NTR1P02LT1 NTR1P02LT1G NTR1P02T1 NTR1P02T1G NTR2101PT1G NTR4003NT1G NTR4101P NTR4101PT1G NTR4501NT1G NTR4502PT1G

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