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  • NTR2101PT1G的技术参数

    产品型号:ntr2101pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):8源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):52最大漏极电流id(on)(a):3.700通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150描述:-8 v, -3.7 a,双功率mosfet价格/1片(套):¥1.59 来源:xiangxueqin

  • NTR2101PT1G的技术参数

    产品型号:NTR2101PT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):8
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):52
    最大漏极电流Id(on)(A):3.700
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
    描述:-8 V, -3.7 A,双功率MOSFET
    价格/1片(套):¥1.59

ntr2101pt1g替代型号

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