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NTS4101PT1G

更新时间:2025-05-26 01:14:04

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市四雄微电子有限公司
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严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货”，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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深圳智睿捷科技有限公司
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深圳市奥诗达电子有限公司
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奥诗达电子，只做原装假一赔百

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深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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深圳市思佳捷科技有限公司
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深圳中和芯盛科技有限公司
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深圳市创芯友科技有限公司
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深圳市索辉电子有限公司
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深圳市汇芯诚电子科技有限公司
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深圳市星源微科技有限公司
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SOT323/06+PB
原装现货，假一赔十

深圳市嘉志达电子有限公司
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SOT323/1449
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深圳市力拓辉电子有限公司
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ON SEMICONDUCTOR
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全新原装鄙视假货

现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳市毅创腾电子科技有限公司
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深圳中和芯电子有限公司
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深圳市特莱科技有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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NTS4101PT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323

封装:SC-70，SOT-323

NTS4101PT1G 概述

NTS4101PT1G是由安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻特性，在栅源电压为4.5V时典型值仅为0.036欧姆，有助于降低功耗。它适用于电池供电设备、负载开关和电源管理应用等场景。在便携式设备中作为开关使用时，能有效提高效率并减少发热。其快速开关速度也使其适合高频DC - DC转换器应用。在实际应用中，需注意合理设计驱动电路以确保MOSFET可靠开启和关闭，并且要注意散热设计避免过热损坏。

NTS4101PT1G 规格参数