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nts4101pt1g价格行情

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nts4101pt1g中文资料

  • NTS4101PT1G的技术参数

    产品型号:nts4101pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):120最大漏极电流id(on)(a):1.370通道极性:p沟道封装/温度(℃):sc-70 /-55 ~150描述:-20 v, -1.37 a,双功率mosfet价格/1片(套):￥1.30 来源:xiangxueqin

  • NTS4101PT1G的技术参数

    产品型号:NTS4101PT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):120
    最大漏极电流Id(on)(A):1.370
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SC-70 /-55 ~150
    描述:-20 V, -1.37 A,双功率MOSFET
    价格/1片(套):￥1.30...

nts4101pt1g替代型号

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