10N90-FC2是来自Alpha and Omega Semiconductor(AOS)公司的一款高压MOSFET。该型号采用先进的平面DMOS技术制造,具备低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压额定值为900V,连续漏极电流可达10A,在高功率应用中表现出色。
主要适用于交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)电源转换器、不间断电源系统(UPS)、工业逆变器以及LED照明驱动器等场景。在实际应用中,建议将栅极电阻调整至合适值以优化开关性能并减少EMI干扰。电路设计时需注意散热管理,确保器件工作温度处于安全范围内。若用于高频开关应用,则应仔细选择栅极驱动电路参数,以充分发挥其高速开关能力。