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10nf中文资料

  • 用自动归零噪声滤波器降低仪表放大器的输出噪声

    ,引入这个滤波器更为重 要。 本文给出的测试结果采用的是固定增益为100 的max4209h,器件的信号带宽为7.5khz, fc 约为45khz。由放置在放大器out 和fb 引脚间的外置电容(c)和内部电阻(r2)并联构 成一阶低通滤波器,滤波器的极点由c 和r2 决定,max4209h 内部的r2 是99kω,图4 为噪声测量电路。 图4. max4209 噪声测量电路 图5 和图6 为输入参考噪声曲线,包括三种不同测量:没有外部电容c、c = 1nf 和c = 10nf 的情况。没有电容c 时,-3db 带宽仅受限于max4209h (信号带宽为7.5khz)。 图5. 无反馈电容、电容等于1nf 和10nf 时,max4209h 输入参考噪声密度曲线 图6. 无反馈电容、电容等于1nf 和10nf 时,max4209h 输入参考噪声的rms 值 设计人员需要根据具体应用在所要求的噪声抑制和信号带宽限制之间进行折衷。下表归 纳了没有外接电容、c = 1nf 和c = 10nf 条件下的折衷选择。 有些应用中,如果对噪

  • 利用自动归零噪声滤波器降低仪表放大器的输出噪声

    频带时,引入这个滤波器更为重 要。 本文给出的测试结果采用的是固定增益为100 的max4209h,器件的信号带宽为7.5khz, fc 约为45khz。由放置在放大器out 和fb 引脚间的外置电容(c)和内部电阻(r2)并联构 成一阶低通滤波器,滤波器的极点由c 和r2 决定,max4209h 内部的r2 是99kω,图4 为噪声测量电路。 图4. max4209 噪声测量电路 图5 和图6 为输入参考噪声曲线,包括三种不同测量:没有外部电容c、c = 1nf 和c = 10nf 的情况。没有电容c 时,-3db 带宽仅受限于max4209h (信号带宽为7.5khz)。 图5. 无反馈电容、电容等于1nf 和10nf 时,max4209h 输入参考噪声密度曲线 图6. 无反馈电容、电容等于1nf 和10nf 时,max4209h 输入参考噪声的rms 值 设计人员需要根据具体应用在所要求的噪声抑制和信号带宽限制之间进行折衷。下表归纳了没有外接电容、c = 1nf 和c = 10nf 条件下的折衷选择。 有些应用中,如果对

  • 现代电源技术中电容器的正确选用

    响应或动态响应。 2吸收与换相电容器 随着栅控半导体器件的额定功率越做越大,开关速度越来越快,额定电压越来越高,对缓冲电路的电容器仅仅要求足够的耐压、容量及优异的高频特性是不够的。 在大功率电力电子电路中,由于igbt的开关速度已小于1μs,要求吸收电路电容器上的电压变化速率dv/dt>v/μs已是很正常的,有的要求v/μs甚至v/μs。由电容器与电压充电时间的基本关系可知 如以1μf、v/μs计,则由式(1)可知其峰值电流将达a。即使较小的电容量如10nf,以v/μs速率变化则峰值电流为100a。对于普通电容器,特别是普通金属化电容器的dv/dt<100v/μs,特殊金属化电容器的dv/dt≤200v/μs,专用双金属化电容器小容量(小于10nf)的dv/dt≤1500v/μs,较大容量(小于0.1μf)的则为600v/μs,在这种巨大且重复率很高的峰值电流冲击下是很难承受的。所以经常可以看到电力电子电路因吸收电容应用不当造成电容器击穿或断路,损坏电力电子电路的现象。 目前吸收电路专用电容器,即金属箔电极可承受较大的峰值电流和有效值电

  • 分析电源设计中的电容选用实例

    收与换相电容器 随着栅控半导体器件的额定功率越做越大,开关速度越来越快,额定电压越来越高,对缓冲电路的电容器仅仅要求足够的耐压、容量及优异的高频特性是不够的。 在大功率电力电子电路中,由于igbt 的开关速度已小于1μs,要求吸收电路电容器上的电压变化速率dv/dt> v/μs 已是很正常的,有的要求 v/μs 甚至 v/μs。 对于普通电容器,特别是普通金属化电容器的dv/dt<100v/μs,特殊金属化电容器的dv/dt≤200v/μs,专用双金属化电容器小容量(小于10nf)的dv/dt≤1500v/μs,较大容量(小于0.1μf)的则为600v/μs,在这种巨大且重复率很高的峰值电流冲击下是很难承受的。损坏电力电子电路的现象。 目前吸收电路专用电容器,即金属箔电极可承受较大的峰值电流和有效值电流冲击,如:较小容量(10nf 以下)的可承受100000v/μs~455000v/μs 的电压变化率、3700a 峰值电流和达9a 有效值电流(如cdv30fh822j03);较大容量(大于10nf,小于0.47μf)或较大尺寸的可承受大于3400v/μs 以及100

  • 反激变换器的RCD吸收回路设计实例

    如上所述,为可靠性,稳态时最大电压应为mosfet耐压的80%,即520v。图显示为570v(ac 256v)。当然,vin+nvo为(375v+15×5v) =450v,显示变压器匝数比为15,此是合理的值。因此,吸收回路应重新设计如下: 图1 1nf电容和480kω电阻的起动波形 图2 1nf电容和480kω电阻的稳态波形 让vsm为nv0的两倍,即150v。lik1及ipeak为150μh和400ma,于是求出: 电阻功耗计算如下: 最后,选择csn为10nf,rsn为1.4kω/3 w。测试下来,mosfet的电压应力为j 593v(起动时)和 524v(稳态),分别为所选fsdm311耐压的91.2%和80.6%合格。10nf电容和14kω电阻的起动波形如图3所示,稳态波形如图4所示。 图3 10nf电容和14kω电阻的起动波形 图410nf电容和14kω电阻的稳态波形 来源:蝴蝶

  • 基于MC33143芯片的继电器控制接口应用

    。 stat1~2:状态脚,用来指示输出脚的故障状态。正常工作时,状态脚处于高电平。出现开路、对地短路、对电源短路(外部电源)、过热、过压关闭等状态时,为低电平。与cpu连接时相互之间串联一10kω电阻。与vpwr短路连接时,可提高其故障判断分析能力。不用时,此脚必须连上。 vpwr:该脚与供电电源连接在一起,向dmos输出提供负载电流及检测过压,当供电电压在5.5~24v之间时,dmos输出打开;vpwr不可接负电源,加-1.5v电压时,只能忍受250ms,使用时,应在vpwr与地之间接一10nf的去耦电容。 gnd:接地脚,为dmos输出晶体管散热。 vdd:芯片电源,连接5v逻辑电平,使用时对地需接10nf的去耦电容。 out1~2:输出脚,连接内部dmos输出晶体管,给负载供电。每个输出内含动态箝位电路以适应感性负载,并具有对地短路检测和保护、过热检测和保护、过流检测和保护、开路检测及对外部电源短路检测和保护等功能。当cen为逻辑低电平时,输出关闭,对于未使用的输出脚,必须外接一10kω电阻以免误报。工作时,在输出对地之间并接一1.0μf的滤波电容。 sfpd:短路故障保护

  • 3M电子嵌入式电容材料符合RoHS指令,介质厚度为8μs

    3m电子日前宣布,其先进层压、嵌入式电容材料达到rohs指令要求,可帮助oem和pcb制造商满足车载、便携式和军用产品等空间受限的应用设计需求。 3m介绍,其嵌入式电容材料的介质厚度达到8μs、电容密度达到每平方英寸大于10nf,使之成为现有电路板嵌入式平面电容中最薄、电容密度最高的材料。该层压材料使高速数字印刷电路板的设计人员和制造商在实现高速设计的同时,简化了设计。 在印刷电路板中作为电源和地层时,该材料可以成为电路板内部的共享去耦电容,从而可以取消许多(过去必须采用的)分离表面安装电容并削减通孔的数量。此外,该层压材料也增加了电路板的可用区域,使信号传输更快、emi辐射更低,并节省电源分布设计和电路板排版的工程设计时间。 印刷电路板制造商可以将该材料用于汽车、军事、自动测试设备、计算机和通信,它兼容包括激光钻孔在内的所有刚性和柔性电路板加工工艺,不必向3m购买许可即可使用。

  • AMS推出DC-DC降压降压型稳压器

    z固定开关频率允许使用微型超薄电感和电容,可最大限度地减小pcb尺寸。 这种恒频开关操作可产生可预测的低输出噪声,该输出噪声可通过内部降噪电路进一步降低。 as1339的峰值效率为97%,可延长各种应用的电池寿命。它支持1.1a的峰值电流,其集成的110mω旁路fet在低电池电压状态下也能够以最小的压降提供最大的功率。as1339在高功率发射时自动进入旁路模式。它还集成了两个10ma、低噪声和高psrr的ldo,用于pa偏置。每个ldo具有独立的使能控制,提供高输出电压精度,且只需要10nf的输出电容。 此外,如果不需要电源,例如移动电话在飞行模式下时,as1339可提供100na关断模式及输出断开功能。其它功能还包括软启动和安全功能等,如电流过载和热关断保护。 as1339采用微型、16焊球、2×2mm wl–csp封装,支持-40℃至+85℃工业级温度范围。

  • 国际整流器公司推出体积可缩40%的同步降压式多相位转换器

    半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (international rectifier,简称ir) 推出ip2005a全面优化的功率级解决方案,适用于游戏、计算和通信应用的大电流同步降压式多相位转换器。 ip2005a的体积比前一代的器件小了40%,能够在高达1.5mhz的频率下有效运行,有助于设计人员通过尽量减小输出电容器和电感器值,以进一步减小占板面积。ip2005a为非常低的emi进行了优化设计,无需在消费游戏机等emi敏感的设计中使用外部缓冲电路。与需要一个2.2ω外置电阻器和10nf电容缓冲器的前一代器件相比,不使用外部缓冲电路的ip2005a每相位功率损耗可减少多达2.3w。 ir 亚太区高级销售副总裁曾海邦表示:“由于体积小了40%,ip2005a成为一款能够提供高性能的小型系统功率模块。其高度集成也使这款器件可显著节省空间并简化设计。” 每个ip2005a构建模块采用7.7mm x 7.7mm x 1.7mm lga封装,可以在0.8v至5.5v的输出范围提供高达40a的电流。在多相位系统使用这些构建模块,业界标准的四相位控制器就可以实现高达160

  • IR推出全面优化的功率级解决方案iP2005A

    国际整流器公司(international rectifier,简称ir)推出ip2005a全面优化的功率级解决方案,适用于游戏、计算和通信应用的大电流同步降压式多相位转换器。 ip2005a的体积比前一代的器件小了40%,能够在高达1.5mhz的频率下有效运行,有助于设计人员通过尽量减小输出电容器和电感器值,以进一步减小占板面积。ip2005a为非常低的emi进行了优化设计,无需在消费游戏机等emi敏感的设计中使用外部缓冲电路。与需要一个2.2ω外置电阻器和10nf电容缓冲器的前一代器件相比,不使用外部缓冲电路的ip2005a每相位功率损耗可减少多达2.3w。 ir亚太区高级销售副总裁曾海邦表示:“由于体积小了40%,ip2005a成为一款能够提供高性能的小型系统功率模块。其高度集成也使这款器件可显著节省空间并简化设计。” 每个ip2005a构建模块采用7.7mm x 7.7mm x 1.7mm lga封装,可以在0.8v至5.5v的输出范围提供高达40a的电流。在多相位系统使用这些构建模块,业界标准的四相位控制器就可以实现高达160a的电流。除了一个外部pwm控制器,

  • 采用MAX846构成的锂电池和多电池充电系统电路图

    与廉价微控制器相结合,组成适用于多种电池的充电系统。片内含有独立的电压和电流回路,易于控制,内设精度为0.5%的基准电压源、增加了充电设备的安全可靠性,内设具有复位功能的pwrok,简化了电路设计,可降低系统成本。 max846采用16脚的qsop封装,其管脚配置如图5-31所示。管脚功能如下:1脚(dcin)为电源输入端,输入电压为3.7~21v;2脚(vl)为线性稳压器输出端,精度为1%,输出电压为3.3v,最大输出电流为20ma;3脚(cci)为电流调整回路补偿端,它与vl之间接5~10nf电容;4脚(gnd)为地;5脚(ccv)为电压调整回路补偿端,与vl之间接5~10nf电容;6脚(vset)为充电电压调整端;7脚(iset)为电流设定输入/电流监控输出端;8脚(offv)为电压环路截止控制端,高电平时截止,对电池充电;9脚(pwrok)为微控制器提供复位端,当vl<3v时,该管脚为低电平;10脚(cell2)定义电池数目,接vl为两节电池;11脚(on)为on/off;12脚(batt)为电池正极;13脚(cs+)为电流传感器高端输入;14脚(cs-)为电流传感器低端输

  • 能与PC连用的调频广播电路图

    能与pc连用的调频广播电路 如图为能与pc连用的调频广播电路图。该电路中一些电器元件的数值:r1:47kω;r2:22kω;r3:100kω;r4:39kω;r5:47ω;r6~r12:5kω;r13~r21:15kω;c1:39pf电容;c2:47pf电容;c3:2nf电容;c4,c14:220nf电容;c5:22nf电容;c6:10nf电容;c7,c18:180pf电容;c8:150pf电容;c9:100nf电容;c10,c13:330pf电容;c11:220pf电容;c12,c16:3300pf电容;c15,c17:1800pf电容;c19,c21,c22:10mf电容;c20:10nf电容;c23:47mf电容;c24,c25:470mf电容;ic1:tda7000;ic2:lm7805;ic3:lm386;s1开关。 来源:lidy

  • 简单NE555超声波撵狗器制作

    的爱犬在午夜安静下来,不再乱叫或者降服别人的恶犬(大概盗贼会很喜欢这个东西的)。 因此,我决定重新设计一个电路(当然,是基于最常用的555),使用了可变电阻来改变频率并且使用了能发出相对足够大的声响--82db的压电蜂鸣片。 电路非常小,可以在半小时内装配起来。大部分元件的参数值并不要求很精确,但你要知道这些值可能会使产生的频率发生改变。对可变电阻的调整:较大的电阻使得频率变低。由于不同的狗会对不同的频率产生反应,你可能需要对电路进行不断的实验调整。 电路非常简单,对你来说可能是小事一桩。10nf(0.01uf)的电容非常关键,它决定了频率,大多数的瓷片电容工作起来很不稳定,误差大都在20%左右,很不好用,所以最好采用性能稳定的聚丙希电容。较大的电容值意味着较低的频率。 740)this.width=740" border=undefined> 调整过程中,一个示波器是很必要的。由于我没有示波器,所以我使用了winscope(winscope 是俄罗斯科学家康斯坦丁泽利多维奇开发的,用于计算机上进行电子实验进频率分析的模拟示波器软件。它通过音效卡来样本输入波形并显示结果在您的电脑监视

  • 用NE555制作的超声波撵狗器电路图

    高一些。这意味着普通的超声波昆虫驱赶器发出的声音,狗是听不到的。 因此,我决定重新设计一个电路(当然,是基于最常用的555),使用了可变电阻来改变频率并且使用了能发出相对足够大的声响--82db的压电蜂鸣片。 电路非常小,可以在半小时内装配起来。大部分元件的参数值并不要求很精确,但你要知道这些值可能会使产生的频率发生改变。对可变电阻的调整:较大的电阻使得频率变低。由于不同的狗会对不同的频率产生反应,你可能需要对电路进行不断的实验调整。 电路非常简单,对你来说可能是小事一桩。10nf(0.01uf)的电容非常关键,它决定了频率,大多数的瓷片电容工作起来很不稳定,误差大都在20%左右,很不好用,所以最好采用性能稳定的聚丙希电容。较大的电容值意味着较低的频率。 调整过程中,一个示波器是很必要的。由于我没有示波器,所以我使用了winscope。尽管它的测量范围限于22khz,但刚刚能够看到电路是如何工作的。测试一下电路在不同的频率下是否都能工作。4k7的可变电阻与10nf的电容产生的频率为11k到22khz,这样刚刚好。 这个电路不需要蚀刻电路板,实验板就行了。如果需

  • 基于CXA1191集成电路制作德生牌收音机电路

    从内部框图可以看出它们内部结构完全一样,但在实际代换时却不能直接代换。如用cxa1191去直接代换cxa1019,则输出音量很小。这是由于两种集成块的功放实际内部电路不完全一样,表现主要在于集成块的①脚。cxa1019的①脚在电路中是接地的,而cxa1191的①脚却恰好是内置功放的输出中点。如果直接进行代换就会将功放输出信号绝大部分短路(内置接有一电阻),故此直接代换后声音很小。如果将代换后的cxa1191的①脚断开,则可以避免使得信号被短路。在查阅cxa1191的电路图纸发现它的①脚外接有一只10nf的电容,由此分析可知,它的①脚是为改善音质所特别设计的。只要在它们之间代换时注意这一点,则这两种集成块就可以完全进行相互代换了。 来源:阴雨

  • AD5933做的简易网络分析仪(改进版)

    ad5933做的简易网络分析仪(改进版)上次用ad5933做的阻抗分析仪,没有做相位校准,这个周末刚好有空,就翻出来继续改了改代码,添加了一些功能进去,现在使用起来比以前方便多了,速度也快了很多。使用前用参考电阻校准,然后就可以测试阻抗了.以前发过的帖子:http://bbs.21ic.com/club/bbs/showessence.asp?id=6741&page=2注: 图中兰色的线是阻抗的模,绿色的线是阻抗的相角.竖直的红线是光标.图1 用10k电阻校准后的阻抗图图2 10nf电容测试结果图3 30pf电容测试结果图4 开路测试结果图5 10nf电容跟47uh电感并联的阻抗图(图中的计算结果是根据10nf电容计算得到的电感值)图6 另一张开路测试结果 * - 本贴最后修改时间:2006-11-19 1:28:19 修改者:computer00

  • 这个低通滤波电路怎么分析?

    前边输入端的100k电阻还要串联一个10nf的电容对不起,输入端少画了一个10nf的电容-3db带宽约100hz,对20k的100倍信号都可以抑制这个低通的性能很好,但是不知道如何分析,找了几本书也没找到这样的电路 * - 本贴最后修改时间:2005-12-21 23:42:43 修改者:jiangyu

  • 微弱信号检测!~~~~~~~~

    多自称为24位的a/d其实有效位精度仅仅为19位。(3)、a/d转换精度并不等于一个设计系统的精度。例如模拟电路部分的放大倍数为1000倍,使用cs5372则可使系统精度达0.86nv。(4)、但是至今最高精度无法达到1nv,这是为什么呢?因为精度的最终瓶颈还是在模拟芯片的噪声容限上。而当今模拟芯片的噪声容限均超过1nv。(5)、微弱信号检测的几点步骤:1、前置放大;2、高、低通滤波或陷波;3、主放大。(6)、你所提的仪用放大器是规划于前置放大,当然此部分的设计也可以用高精度运放,而且如果想实现10nf级(当然这是比你提的要低3个数量级以上)的信号检测,就必须选用高精度运放,因为当前仪用放大器没有一个能达到10nf级,只有部分尖端高精度运放能达到此数量级。

  • 独石电容与瓷介电容

    呵呵,注意我用的两个名词前一个是“多层瓷介电容器”后一个是“片式多层瓷介电容器”不过我的句子是有问题,有误人子弟之嫌:)应该说:多层瓷介电容器,又叫独石电容器现在最常用的是mlcc(片式多层瓷介电容器,即通常所谓“贴片电容”)mlcc就是multi layer chip capacitor的缩写,chip就是“片式”的意思非表贴的似乎是叫mlc,少了一个“c”薄膜贴片电容见过聚酯薄膜的,不太好买,可能还是普及程度的关系一般小容量的(10nf以下),c0g的性能不比有机薄膜的差,温度系数还更好(c0g是正负温度系数,有机薄膜往往是负温度系数)如果是做积分器之类,有机的,如pps的,就好一些

  • 节能灯电路图,但点不亮

    davidli88的图反馈极性也反了。。。解决功率与发热问题:在davidli88的图上,用个快恢复二极管与电阻(几十欧)串连加在三极管的be极,二极管方向指向三极管的b极。10nf的电容上最好串个电阻(几十欧)。

10nf替代型号

10N60 10MSOP 10MS 10MQ100N 10MQ060N 10MQ040N 10MM 10MHZ 10M100 10LD

10PA 10PF 10R1 10TPA100M 10TPA33M 10TPC68M 10UF 10UF/10V 10UF/16V 10UF/25V

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