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20N50L

更新时间:2025-06-07 05:11:16

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20N50L 概述

20N50L是STMicroelectronics生产的高压功率MOSFET，采用先进的平面技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动应用。其最大漏源电压可达500V，连续漏极电流为20A，在高温环境下仍能保持稳定性能。在实际应用中，20N50L常用于反激式变换器的主开关管，也可作为PFC电路中的升压开关。设计时需注意其栅极驱动电压范围，确保可靠开启和关闭。推荐使用专用的栅极驱动芯片以获得最佳性能。此外，布局时应尽量缩短源极到驱动回路的距离，减少寄生电感影响，提高系统效率。

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