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2N5639

更新时间:2025-06-13 09:17:21
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2N5639外观图

2N5639

ON Semiconductor JFET（结点场效应

TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92

  • 封装:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
2N5639 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    JFET（结点场效应
  • 系列
    -
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)
    25mA @ 20V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 漏极电流 (Id) - 最大
    -
  • FET 型
    N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
    35V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    10pF @ 12V（VGS）
  • 电阻 - RDS（开）
    60 欧姆
  • 安装类型
    通孔
  • 包装
    散装
  • 封装/外壳
    TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装
    TO-92-3
  • 功率 - 最大
    310mW
  • 其它名称
    2N5639OS
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