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2SJ653

更新时间:2025-06-20 11:38:40
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2SJ653 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    495 ns
  • 典型接通延迟时间
    53 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    120 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds
    6500 pF V @ 20
  • 安装类型
    通孔
  • 宽度
    4.5mm
  • 封装类型
    TO-220ML
  • 尺寸
    10 x 4.5 x 8.8mm
  • 引脚数目
    3
  • 最低工作温度
    -55 °C
  • 最大功率耗散
    2000 mW
  • 最大栅源电压
    ±20 V
  • 最大漏源电压
    60 V
  • 最大漏源电阻值
    0.025
  • 最大连续漏极电流
    37 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    P
  • 配置
    单
  • 长度
    10mm
  • 高度
    8.8mm
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