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2SJ655

更新时间:2025-06-21 09:42:51
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2SJ655 规格参数
  • 标准包装
    100
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    136 毫欧 @ 6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    -
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2090pF @ 20V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
    TO-220ML
  • 包装
    散装
  • 其它名称
    869-1052
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