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2SJ656

更新时间:2025-06-23 14:59:26
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2SJ656 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    - 100 V
  • 闸/源击穿电压
    20 V
  • 漏极连续电流
    - 18 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    58 mOhms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-220ML
  • 封装
    Bulk
  • 功率耗散
    2 W
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