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BD681G

更新时间:2025-05-20 17:54:29

供应商
产品型号
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封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
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18年用芯服务，承接一站式BOM配单
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深圳市亿科泰电子科技有限公司
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深圳市宏创兴泰电子有限公司
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有上有货原装现货可看货，提供配单服务

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市昌和盛利电子有限公司
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深圳市智慧华芯电子有限公司
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深圳市芯国创科技有限公司
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务

深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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云汉时代半导体(深圳）有限公
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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深圳市英特翎科技有限公司
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BD681G外观图

BD681G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS DARL NPN 4A 100V TO225AA

封装:TO-225AA，TO-126-3

BD681G 概述

BD681G是罗姆半导体(ROHM)生产的一款NPN型达林顿晶体管，具有高电流放大系数。其集电极-发射极最大电压UCEO为80V，适合处理较高电压的开关或放大应用。该晶体管的最大集电极电流IC可达3A，使其适用于驱动较大功率负载。典型应用场景包括音响设备中的音频放大、电源管理电路中的开关元件以及电机驱动控制。在功放电路中，BD681G常与互补的PNP型达林顿管BD682G配合使用，构成推挽输出级，提供强劲稳定的功率输出。由于其较高的增益和较大的电流承载能力，在设计时需注意散热措施，建议配备适当尺寸的散热器以保证稳定工作。同时，布线时应尽量缩短引线长度，减少寄生电感影响高频性能。

BD681G 规格参数

标准包装
500
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
4A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大）
500µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
750 @ 1.5A，3V
功率 - 最大
40W
频率 - 转换
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-225AA，TO-126-3
供应商设备封装
TO225AA
包装
散装
其它名称
BD681GOS

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