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BSM080D12P2C008

更新时间:2025-07-15 16:54:01
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BSM080D12P2C008 规格参数
  • 现有数量
    21现货
  • 系列
    -
  • 包装
    托盘
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    碳化硅（SiC）
  • 配置
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    80A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    -
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 13.2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    800pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    600W
  • 工作温度
    175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    模块
芯知识
2.2万
视频广告作为自主零售终端的“能量心脏”，HVP6-24S12始终稳供不宕机！
广东微尔科技有限公司
BSM080D12P2C008推荐型号

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