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BSM35GD120DLCE3224

更新时间:2025-06-06 12:37:29
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • BSM35GD120DLCE3224

    BSM35GD120DLCE3224

  • 1025

  • INFINEON/英飞凌

  • MODULE/25+

  • 全新原装原盒原标实拍 支持选型 保证质量 新批次

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BSM35GD120DLCE3224 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    1200 V
  • 集电极—射极饱和电压
    2.1 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    70 A
  • 栅极—射极漏泄电流
    400 nA
  • 功率耗散
    280 W
  • 最大工作温度
    + 125 C
  • 封装 / 箱体
    EconoPACK 2A
  • 封装
    Reel
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    Screw
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