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CAS100H12AM1

更新时间:2025-06-13 03:06:46
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CAS100H12AM1 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    Z-FET?
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    停产
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    168A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    20 毫欧 @ 20A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.1V @ 50mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    -
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    9500pF @ 800V
  • 功率 - 最大值
    568W
  • 工作温度
    -
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    模块
  • 供应商器件封装
    模块
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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