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CSD16323Q3C

更新时间:2025-06-08 08:20:37
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CSD16323Q3C外观图

CSD16323Q3C

Texas Instruments FET - 单

MOSFET N-CH 25V 60A 8SON

  • 封装:8-TDFN 裸露焊盘
CSD16323Q3C 规格参数
  • 产品培训模块
    NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件
    PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    NexFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    60A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    4.5 毫欧 @ 24A，8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1300pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大
    3W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    8-SON 裸露焊盘（3x3）
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    296-28096-6
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