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CSD16570Q5BT

更新时间:2025-05-16 18:19:31
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CSD16570Q5BT 规格参数
  • 现有数量
    26,675现货10,000Factory
  • 系列
    NexFET?
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    100A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    0.59 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    250 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    14000 pF @ 12 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    3.2W（Ta），195W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-VSONP（5x6）
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
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广东微尔科技有限公司
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