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FDB8160

更新时间:2025-05-24 11:33:05
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FDB8160外观图

FDB8160

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

  • 封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
FDB8160 规格参数
  • 标准包装
    800
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    80A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.8 毫欧 @ 80A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    243nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    11825pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    254W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装
    TO-263（D2Pak）
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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