FDC6020C
8700
SOT163/2023+
原装现货
FDC6020C
9000
SuperSOT6 FLMP/23+
原厂渠道,现货配单
FDC6020C
51300
SOT163/24+
原装现货,可提供订货服务
FDC6020C
4251
SOT163/24+
原厂原装现货
FDC6020C
60701
SOT163/24+
深圳原装现货,可看货可提供拍照
FDC6020C
20176
SOT163/2023+
一级代理,原厂排单到货,可开原型号13%专用发票
FDC6020C
9800
N/A/1808+
原装正品,亚太区混合型电子元器件分销
FDC6020C
26028
SOT163/2012
只做原装 支持BOM配单服务 企业QQ 3003975274
FDC6020C
6500
SOT163/23+
只做原装现货
FDC6020C
18000
SOT163/22+
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十
FDC6020C
9000
SuperSOT6 FLMP/23+
原厂渠道,现货配单
FDC6020C
12500
SOT163/23+
全新原装现货,价格优势
FDC6020C
9400
SOT163/23+
原装现货
FDC6020C
6500
SOT163/21+
原装正品
FDC6020C
3000
SOT163/05+
原装正品热卖,价格优势
FDC6020C
5000
SOT163/22+
原厂渠道可追溯,精益求精只做原装
FDC6020C
6500
SOT163/23+
只做原装现货
FDC6020C
68900
SOT163/-
一手渠道 假一罚十 原包装常备现货林R Q2280193667
FDC6020C
30000
SOT163/0519+PB
库存特价
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出最小尺寸的互补对称mosfet解决方案,为微型“点”功率应用和负载点 (pol) dc/dc开关转换器设计提供高于1a的持续电流。fdc6020c将两个mosfet集成于一个超小型的supersot™-6 flmp封装 (倒装导模封装) 中;而传统的解决方案必须采用两个单独器件或一个较大型封装,才能获得类似的高性能特性。 fdc6020c具有卓越的热性能和高效率特性,适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限 (vgs = 2.5 v) 可简化采用3.3 v总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时,fdc6020c更可免去充电泵电路的需要,以达到此目的。此外,该器件的每一个mosfet都具有优良的rds(on)特性 (在4.5v时, p沟道为52毫欧,n沟道为27毫欧)。fdc2060c的结点至外壳热阻抗 (1 ° c/w) 及结点至周边环境热阻抗 (68° c/w) 有助达到最高的电流密度,并同时维持最佳的工作温度。 f
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出最小尺寸的互补对称mosfet器件——fdc6020c,为微型“点”功率应用和负载点(pol) dc/dc开关转换器设计提供高于1a的持续电流。该器件将两个mosfet集成在一个超小型的supersot-6 flmp封装(倒装导模封装)中。 fdc6020c具有良好的热性能和高效率特性,适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(vgs = 2.5v)可简化采用3.3v总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时,使用fdc6020c则无需设计充电泵电路。此外,该器件的每一个mosfet都具有优良的rds(on)特性(在4.5v时, p沟道为52mω,n沟道为27mω)。fdc2060c的结点至外壳热阻抗(1℃/w)及结点至周边环境热阻抗(68℃/w)有助于达到最高电流密度,并同时维持最佳工作温度。 fdc6020c采用supersot-6 flmp封装,其面积仅为9mm2,最大侧高为0.8mm。这种先进的封装形式无须传统的金属线连接,不但提供低电阻抗,而且可以维持所需的关键性机械公差特性,
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出最小尺寸的互补对称mosfet解决方案,为微型“点”功率应用和负载点 (pol) dc/dc开关转换器设计提供高于1a的持续电流。fdc6020c将两个mosfet集成于一个超小型的supersot™-6 flmp封装 (倒装导模封装) 中;而传统的解决方案必须采用两个单独器件或一个较大型封装,才能获得类似的高性能特性。 fdc6020c具有卓越的热性能和高效率特性,适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限 (vgs = 2.5 v) 可简化采用3.3 v总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时,fdc6020c更可免去充电泵电路的需要,以达到此目的。此外,该器件的每一个mosfet都具有优良的rds(on)特性 (在4.5v时, p沟道为52毫欧,n沟道为27毫欧)。fdc2060c的结点至外壳热阻抗 (1 ° c/w) 及结点至周边环境热阻抗 (68° c/w) 有助达到最高的电流密度,并同时维持最佳的工作温度。 fdc6020c采用supersot͐