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  • 飞兆扩充其低压MOSFET产品系列 推出11款新型器件

    rds(on)低至2.0m ohms,是业界导通电阻最低的器件之一。除了性能方面的改善,这些器件还可节省线路板空间,因为一个飞兆半导体的低rds(on) mosfet可替代两个在这些设计中传统使用较高rds(on)的mosfet。而且,这些mosfet能满足uis要求并达到严格的aec-q101汽车标准,可在严酷的电气环境中提供高可靠性以保证其“坚固性”。 飞兆半导体功能功率部汽车功率产品副总裁paul leonard称:“飞兆半导体的新型30v mosfet如2.3m ohm fdb8860器件,提供的导通电阻仅为55v或60v mosfet的一半,因此能降低功耗至高压器件的二分之一。在汽车设计中,低导通电阻意味着更高的效率,因为功耗低及热量的产生较少。除了面向30v和40v应用的11种新器件外,飞兆半导体将继续扩充全线的车用mosfet产品系列,以便更好地协助客户满足这个快速变化的市场需求。” 飞兆半导体面向汽车应用的mosfet经鉴定达到iso/ts 16949标准。这标准是业界逐步开发适用于整个汽车供应链的单一标准的成果,包括设计/开发、生产及汽车组件的安装和服务

  • 飞兆推出11种面向电机控制应用的新型30/40V MOSFET器件

    et的rds(on)低至2.0m ohms,是业界导通电阻最低的器件之一。除了性能方面的改善,这些器件还可节省线路板空间,因为一个飞兆半导体的低rds(on) mosfet可替代两个在这些设计中传统使用较高rds(on)的mosfet。而且,这些mosfet能满足uis要求并达到严格的aec-q101汽车标准,可在严酷的电气环境中提供高可靠性以保证其“坚固性”。 飞兆半导体功能功率部汽车功率产品副总裁paul leonard称:“飞兆半导体的新型30v mosfet如2.3 m ohm fdb8860 器件,提供的导通电阻仅为55v或60v mosfet的一半,因此能降低功耗至高压器件的二分之一。在汽车设计中,低导通电阻意味着更高的效率,因为功耗低及热量的产生较少。除了面向30v和40v应用的11种新器件外,飞兆半导体将继续扩充全线的车用mosfet产品系列,以便更好地协助客户满足这个快速变化的市场需求。” 飞兆半导体面向汽车应用的mosfet经鉴定达到iso/ts 16949 标准。这标准是业界逐步开发适用于整个汽车供应链的单一标准的成果,包括设计/开发、生产及汽车组件的安装和服务

  • 飞兆AEC-Q101低压30/40V MOSFET为汽车电子设计提供性能、效率和节省空间方面的优势

    mosfet的rds(on)低至2.0m ohms,是业界导通电阻最低的器件之一。除了性能方面的改善,这些器件还可节省线路板空间,因为一个飞兆半导体的低rds(on) mosfet可替代两个在这些设计中传统使用较高rds(on)的mosfet。而且,这些mosfet能满足uis要求并达到严格的aec-q101汽车标准,可在严酷的电气环境中提供高可靠性以保证其“坚固性”。 飞兆半导体功能功率部汽车功率产品副总裁paul leonard称:“飞兆半导体的新型30v mosfet如2.3m ohm fdb8860 器件,提供的导通电阻仅为55v或60v mosfet的一半,因此能降低功耗至高压器件的二分之一。在汽车设计中,低导通电阻意味着更高的效率,因为功耗低及热量的产生较少。除了面向30v和40v应用的11种新器件外,飞兆半导体将继续扩充全线的车用mosfet产品系列,以便更好地协助客户满足这个快速变化的市场需求。” 飞兆半导体面向汽车应用的mosfet经鉴定达到iso/ts 16949 标准。这标准是业界逐步开发适用于整个汽车供应链的单一标准的成果,包括设计/开发、生产及汽车组件的安装和服务。这个

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