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FDD4685

更新时间:2025-07-03 13:47:38

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FDD4685

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FDD4685 概述

FDD4685是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率管理应用。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为-60V，在25℃时的最大连续漏极电流(ID)可达12A。其栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少驱动损耗，特别适合用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理等电路中。在电机控制应用中也能发挥作用，如电动工具中的H桥电路。设计时需注意其最大工作温度范围，并确保散热良好以避免过热损坏。

FDD4685 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
27 毫欧 @ 8.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2380pF @ 20V
功率 - 最大
3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDD4685TR

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